山西省自然科学基金(20041073)

作品数：7被引量：4H指数：1
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相关期刊：《电子元件与材料》《山西冶金》《材料研究与应用》《人工晶体学报》更多>>
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相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
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纳米材料第一性原理的模拟计算研究被引量：1
《材料研究与应用》2009年第4期239-242,共4页罗春云 柴跃生 张敏刚 
山西省自然科学基金(20041073)
介绍了纳米材料模拟研究的现状、计算机模拟研究纳米材料的优越性及模拟研究所使用的第一性原理和基于第一性原理的几种主要方法及其运用,提出了第一性原理模拟研究纳米材料所存在的问题和建议.
关键词：模拟计算 第一性原理 纳米材料 密度泛函理论 
SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算
《人工晶体学报》2009年第5期1216-1220,共5页柴跃生 罗春云 张敏刚 伍静 
山西省自然科学基金(No.20041073)
采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽,但包埋Si5结构对可见光区的吸收优于包埋Si3结构。Si3结构的...
关键词：第一性原理 密度泛函理论 价键畸变 态密度 
SiO_2基质中包埋纳米晶Si光电性质的模拟计算被引量：1
《电子元件与材料》2008年第11期67-69,共3页柴跃生 罗春云 张敏刚 
山西省自然科学基金资助项目(No.20041073)
采用第一性原理方法,研究了SiO2基质中包埋纳米晶Si的电子结构及光学性质。结果表明:位于约1.7eV的吸收峰是–0.59eV能级上的电子向由价键畸变产生的1.2eV能级跃迁的结果。纳米Si粒中含不饱和键的Si原子的p轨道对可见光区光的吸收有主...
关键词：电子技术 第一性原理 密度泛函理论 价键畸变 态密度 
Structure and optical characterization of GaP-SiO_2 co-sputtered films
《Rare Metals》2008年第6期580-585,共6页CHAI Yuesheng YANG Meihui ZHANG Mingang SUN Gang 
financially supported by the University Students’ Innovation and Start-ups Special Project of Tai-yuan Science and Technology Board (No. 07010759);the Natural Science Foundation of Shanxi Province, China (No. 20041073)
The films of GaP nanocrystals embedded in SiO2 matrix were prepared by radio frequency magnetron co-sputtering and subsequent annealing technology. The structure and morphology of the films were investigated by scanni...
关键词：semiconductor materials nanocrystal-embedded film PHOTOLUMINESCENCE radio frequency magnetron co-sputtering 
半导体纳米颗粒镶嵌薄膜光学性能的研究及进展
《山西冶金》2007年第3期6-9,共4页杨扬 柴跃生 张敏刚 孙钢 
山西省自然科学基金(20041073)
由于三维量子限域效应的作用,半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料呈现出与块体材料完全不同的光学性能,如非线性光学效应、光致发光等。这些优良特性使半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料在光电器件、太阳能电池、传感器、新型建材等领域有广泛的应用...
关键词：纳米半导体颗粒镶嵌薄膜 量子限域 介电限域 光致发光 非线性光学效应 
化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
《兵器材料科学与工程》2005年第2期71-74,共4页马志华 柴跃生 孙钢 张敏刚 
山西省自然科学基金(20041073)
半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共...
关键词：纳米复合薄膜 共溅射法 非线性光学性质 SIO2 三阶光学非线性 介质 量子点 化合物半导体 光开关 功耗 
射频磁控溅射技术制备Ge-SiO_2薄膜的结构和光学特性研究被引量：2
《太原科技大学学报》2005年第2期136-139,共4页栾彩霞 柴跃生 孙钢 马志华 张敏刚 
山西省自然科学基金资助项目(20041073)
用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火的样品呈现非晶状态,600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱,发现了其红...
关键词：射频磁控溅射技术 SIO2薄膜 特性研究 制备 Raman散射光谱 光学 纳米晶粒 Ge纳米晶 光致发光谱 晶体结构 平均尺寸 退火 复合膜 XRD 样品 600 
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