国家自然科学基金(61204083)

作品数：5被引量：2H指数：1
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相关期刊：《Journal of Southeast University(English Edition)》《Journal of Semiconductors》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
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功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响
《东南大学学报（自然科学版）》2016年第2期255-259,共5页张艺 张春伟 刘斯扬 周雷雷 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61204083);江苏省杰出青年基金资助项目(BK20130021);港澳台科技合作专项资助项目(2014DFH10190);江苏省"青蓝工程"资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目;江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(SJLX-0076)
研究了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,...
关键词：横向绝缘栅双极型晶体管 环境温度 热载流子效应 退化 
An improved trench gate super-junction IGBT with double emitter
《Journal of Semiconductors》2015年第1期95-100,共6页戴伟楠 祝靖 孙伟锋 杜益成 黄克琴 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61204083);the Natural Science Foundation of the Jiangsu Province of China(Nos.BK2012204,BY2011146);the Scientific Research Guidance Foundation of Southeast University Wuxi Branch Campus
An improved trench gate super-junction insulated-gate bipolar transistor is presented. The improved structure contains two emitter regions. The first emitter region of the device works as the conventional structure,wh...
关键词：trench gate super-junction（SJ） insulated-gate bipolar transistor（IGBT） latch-up 
Novel lateral insulated gate bipolar transistor on SOI substrate for optimizing hot-carrier degradation
《Journal of Southeast University(English Edition)》2014年第1期17-21,共5页黄婷婷 刘斯扬 孙伟锋 张春伟 
The National Natural Science Foundation of China(No.61204083);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2011059);the Program for New Century Excellent Talents in University(No.NCET-10-0331)
A novel lateral insulated gate bipolar transistor on a silicon-on-insulator substrate SOI-LIGBT with a special low-doped P-well structure is proposed.The P-well structure is added to attach the P-body under the channe...
关键词：lateral insulated gate bipolar transistor LIGBT SILICON-ON-INSULATOR SOI hot-carrier effect HCE optimi-zation 
Research and optimization of the ESD response characteristic in a ps-LDMOS transistor
《Journal of Semiconductors》2014年第1期70-73,共4页王昊 刘斯扬 孙伟锋 黄婷婷 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61204083);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(Nos.BK2011059,BY2011146);the Scientific Research Foundation of the Graduate School of Southeast University(No.YBJJ1311);the Scientific Research Guidance Foundation of Southeast University Wuxi Branch Campus
The ESD response characteristic in a p-type symmetric lateral DMOS （ps-LDMOS） has been investigated. The experimental results show that the ps-LDMOS has weak ESD robustness due to an absence of the ＂snapback＂ char...
关键词：ESD response characteristic ESD robustness ps-LDMOS p-LDD 
动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》2013年第4期691-694,共4页徐申 张春伟 刘斯扬 王永平 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61204083);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-10-0331);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011059);东南大学无锡分校科研引导资金助项目
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区...
关键词：热载流子 恢复效应 退陷阱效应 电荷泵 
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