陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111)

作品数:5被引量:5H指数:1
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微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计被引量:1
《固体电子学研究与进展》2015年第1期71-75,共5页冯松 高勇 薛斌 
国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)
在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法...
关键词:光子器件 弯曲光波导 微纳米 锗硅绝缘体上硅 弯曲损耗 
微纳米PIN电光调制器的优化被引量:4
《光电子.激光》2014年第5期870-875,共6页冯松 高勇 
国家自然科学基金(61204080);陕西省教育厅科研计划(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金(BS1128);陕西省普通高校重点学科建设专项资金((2008)169)资助项目
在微纳米PIN电光调制器的基础上,分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系,采用在驱动信号中加入正反向预加重电压的调制电压方式,不仅可以提高注入载流子浓度,而且可以缩短反向抽取载流子所...
关键词:光电器件 电光调制器 PIN结构 载流子浓度 
SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
《西安理工大学学报》2013年第3期314-318,共5页冯松 高勇 
国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划资助项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128)
基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和G...
关键词:绝缘层上锗硅 定向耦合器 耦合长度 耦合间距 
IGBT阻断能力的优化设计
《电力电子技术》2013年第7期99-100,共2页冯松 高勇 
国家自然科学基金(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金项目资助(BS1128)~~
阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度...
关键词:绝缘栅双极型晶体管 平面穿通型 场限环 阻断能力 
四象限光电探测器高温输出自激失效分析
《西安理工大学学报》2013年第2期192-196,共5页何凌空 高勇 
陕西省教育厅专项科研计划资助项目(2013JK1111)
针对某型激光导引头所用的四象限光电探测器高温环境试验过程中出现的输出自激失效现象,确定了失效物理模型和失效模式,搭建了失效现象复现测试电路,通过半破坏性开封、光学镜检和波谱分析,提出探测器光敏面沟阻隔离区在工艺过程受离子...
关键词:四象限探测器 输出自激 反型 失效分析 
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