云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家科技重大专项(2010ZX01030-001-001-004)

国家科技重大专项(2010ZX01030-001-001-004): 作品数：5被引量：2H指数：1; 导出分析报告; 相关作者：高珊李尚君陈军宁王栋许会芳更多>>; 相关机构：安徽大学淮北师范大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关主题：沟道金属氧化物半导体场效应晶体管掺杂表面势氧空位更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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VDMOS器件高温热载流子效应的研究: 《固体电子学研究与进展》2016年第1期39-44,共6页储晓磊高珊李尚君; 国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004); 用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应...; 关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体自加热效应衬底电流热载流子效应

双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2015年第5期424-428,共5页李尚君高珊储晓磊; 国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004); 采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同...; 关键词：双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管沟道侧壁绝缘柱表面势电荷分享漏感应势垒降低效应短

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