电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(51433020205DZ01)

作品数：5被引量：4H指数：1
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SF_6/O_2等离子体刻蚀a-C:F薄膜的研究
《微细加工技术》2007年第1期36-40,共5页吴振宇 杨银堂 汪家友 柴常春 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目资助课题(51433020205DZ01);西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200501)
以SF6/O2为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C∶F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C∶F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C—CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C—CFx结构的a-C∶...
关键词：a-C∶F 等离子体刻蚀 表面形貌 XPS 
ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜
《功能材料与器件学报》2006年第2期86-90,共5页吴振宇 杨银堂 汪家友 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(No.51433020205DZ01)
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R（R=[CH4]／{[CH4]＋[C4F8]}）条件下成功地沉积了氟化非晶碳（a-C：F）低介电常数（低后）材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C...
关键词：氟化非晶碳 ECR-CVD 光电子能谱 椭圆光谱 
微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究被引量：3
《物理学报》2006年第5期2572-2577,共6页吴振宇 杨银堂 汪家友 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(批准号:51433020205DZ01)资助的课题~~
采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结...
关键词：A-C:F ECR-CVD 键结构 电学性质 
a-C:F薄膜结构与电学性能研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2006年第1期36-39,65,共5页吴振宇 杨银堂 汪家友 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(No.51433020205DZ01)
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Ma...
关键词：A-C:F 电学性能 ECR-CVD 化学组分 
用ECRC-VD方法制备非晶氟化碳薄膜
《微纳电子技术》2005年第12期554-557,共4页蒋昱 吴振宇 苏祥林 杨银堂 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(51433020205DZ01)
以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响。沉积速率随Ar在混合气体中比例的增大先增大后降低...
关键词：电子回旋共振 非晶氟化碳 低k 
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