云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- A-C:F

A-C:F: 作品数：23被引量：19H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：汪家友杨银堂吴振宇刘雄飞肖剑荣更多>>; 相关机构：苏州大学中南大学西安电子科技大学大连交通大学更多>>; 相关期刊：《微细加工技术》《功能材料》《电子元件与材料》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家重点实验室开放基金江苏省自然科学基金更多>>

氩气流量对(a-C:Fe)/Al_2O_3/Si异质结太阳能电池光伏效应的影响研究: 《三峡大学学报（自然科学版）》2016年第2期83-87,共5页向然谭新玉姜礼华肖业权; 国家自然科学基金"金属掺杂非晶碳基太阳能电池与界面调控光伏效应研究"(项目编号:11374181); 采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上依次沉积氧化铝膜(Al2O3)和铁掺杂非晶碳薄膜(aC:Fe),制成(a-C:Fe)/Al2O3/Si异质结太阳能电池,研究了氩气流量对光伏性能的影响.在20sccm到40sccm范围内调节氩气流量,结果表明,氩气流量的大小对异...; 关键词：氩气流量非晶碳薄膜光伏效应异质结磁控溅射

DBD-PECVD法制备高疏水性氟碳聚合物(a-C:F)薄膜的研究: 《大连民族学院学报》2009年第1期45-50,共6页尹晔珺李东明刘东平谷建东牛金海冯志庆; 国家自然科学基金资助项目(10405005); 以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-...; 关键词：DBD--PECVD a—C:F C4F8 接触角疏水特性

ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的研究被引量：3: 《真空科学与技术学报》2009年第1期61-67,共7页谷建东李东明冯志庆牛金海刘东平; 国家自然科学基金资助项目(No.10405005); 本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研...; 关键词：氟化非晶碳薄膜沉积机理原子力显微镜发射光谱

含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究: 《株洲师范高等专科学校学报》2007年第5期8-10,共3页周昕; 用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升．; 关键词：氟化非晶碳薄膜氮掺杂介电常数

源气体流量比对a-C:F:N薄膜的影响: 《材料科学与工程学报》2006年第4期611-613,共3页张云芳; 以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体，利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳（a_C：F：N）薄膜，研究了源气体流量比对a_C：F：N薄膜沉积速率和结构的影响。用椭圆偏振光谱测试仪测量了薄膜厚度，结合沉积时间计算了薄膜的沉积速...; 关键词：流量比氮掺杂氟化非晶碳薄膜拉曼光谱

氮气退火对氟化非晶碳膜结构和电学性能的影响被引量：1: 《功能材料》2006年第7期1081-1083,共3页吴振宇杨银堂汪家友; 国家自然科学基金资助项目(9027022);电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室资助项目(51433020205DZ01); 采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ECR-CVD）方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳（a-C：F）膜并在氮气气氛中对a-C：F膜进行了退火处理研究。X光电子能谱（XPS）化学结构分析表明，退火后a-C：F膜中CF3，CF2和CF含量减少，...; 关键词：A-C:F 退火化学结构电学性能 XPS

Electrical Properties of Plasma Deposited Low-Dielectric-Constant Fluorinated Amorphous Carbon Films: 《Plasma Science and Technology》2006年第6期724-726,共3页吴振宇杨银堂汪家友; supported by the Key Laboratory Foundation of Electron Devices Reliability Physics and Applications(No.51433020205DZ01);the Xi'an Applied Materials Innovation Fund(No.XA-AM-200501); Fluorinated amorphous carbon （a-C：F） films were deposited at room temperature using C4Fs and CH4 as precursor gases by electron cyclotron resonance chemical vapour deposition （ECR-CVD）. Chemical structures were a...; 关键词：electrical properties conduction behaviour chemical vapour deposition a-C：F

功率和温度对a-C:F:H膜表面形貌和结构的影响: 《真空》2006年第2期21-23,共3页肖剑荣徐慧刘雄飞马松山; 分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了...; 关键词：a-C:F:H薄膜表面形貌射频功率沉积温度真空退火

微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究被引量：3: 《物理学报》2006年第5期2572-2577,共6页吴振宇杨银堂汪家友; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(批准号:51433020205DZ01)资助的课题~~; 采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结...; 关键词：A-C:F ECR-CVD 键结构电学性质

氟化非晶碳薄膜(a-C:F)的制备与表征: 《半导体技术》2006年第2期90-93,共4页苏祥林吴振宇蒋昱汪家友杨银堂; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室资助项目(51433020205DZ0101); 以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质。实验中薄膜的沉积速率可达220nm／min, 测得的介电常数为2．14-2．58。X光电子能谱表明,随...; 关键词：电子回旋共振非晶氟化碳 X光电子能谱低介电常数

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