云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ECR-CVD

ECR-CVD: 作品数：26被引量：48H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：理学一般工业技术更多>>; 相关作者：宁兆元巴德纯王志陈光华程珊华更多>>; 相关机构：苏州大学北京工业大学中国科学院西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《润滑与密封》《中国学术期刊文摘》《微细加工技术》《功能材料》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>

ECR-CVD制备类金刚石碳膜的正交实验法研究被引量：1: 《润滑与密封》2011年第3期44-48,共5页谷坤明王超毛斐虞烈汤皎宁; 国家高技术研究发展计划项目(2007AA050501);广东省科技计划项目(2009B010900035);深圳市科技计划项目(JC200903130309A); 采用系统的正交实验法对ECR-CVD法沉积类金刚石碳膜(DLC)的优化工艺进行研究,并分析不同工艺参数对DLC膜性能的影响。共选择基片温度、H2流量、微波功率、直流偏压、脉冲偏压以及脉冲偏压占空比6个参数建立起6因素5水平的正交表,分别以...; 关键词：气相沉积类金刚石碳膜正交实验摩擦磨损性能

Structure and Mechanical Performance of Nitrogen Doped Diamond-like Carbon Films被引量：1: 《Journal of Materials Science & Technology》2007年第4期491-494,共4页Huayu ZHANG Liang-xue LIU Yulei WANG Hongtao MA Fanxin LIU; Nitrogen doped diamond-like carbon （DLC：N） films were prepared by electron cyclotron resonance chemical vapor deposition （ECR-CVD） on polycrystalline Si chips. Film thickness is about 50 nm. Auger electron spectr...; 关键词：Nitrogen doped diamond-like carbon films ECR-CVD STRUCTURE Mechanical performance

ECR-CVD方法生长a-SiN_x:H薄膜的研究被引量：1: 《功能材料与器件学报》2006年第4期259-263,共5页鲁涛辛煜吴雪梅; 国家自然科学基金资助(No.10305008); 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化...; 关键词：ECR-CVD a-SiN3 H薄膜发射光谱红外光谱

凝聚态物理学: 《中国学术期刊文摘》2006年第15期40-42,共3页; 超导四极磁体降温和升温过程的数值模拟；磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的磁致应变;Ce：YIG纳米粉体结构与磁性的研究;TbDyFe-FeNi多层膜／光纤磁传感器特性研究;Mo原子溅射能量对Mo／Si薄膜微结构的影响；ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜;……; 关键词：凝聚态物理学 NI-MN-GA ECR-CVD Ce:YIG 介质薄膜磁控溅射数值模拟升温过程磁致应变特性研究

碳纳米管异质结构的ECR-CVD法制备被引量：1: 《无机材料学报》2006年第5期1244-1248,共5页王志巴德纯于春宏梁吉; 国家自然科学基金(10332020); 使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR·CVD),以Fe3O4纳米粒子为催化剂,多孔硅为基底,采用CH4／H2和CH4／B2H6／H2两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构．扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察表明:...; 关键词：ECR-CVD 异质结构碳纳米管硼掺杂

ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜: 《功能材料与器件学报》2006年第2期86-90,共5页吴振宇杨银堂汪家友; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(No.51433020205DZ01); 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R（R=[CH4]／{[CH4]＋[C4F8]}）条件下成功地沉积了氟化非晶碳（a-C：F）低介电常数（低后）材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C...; 关键词：氟化非晶碳 ECR-CVD 光电子能谱椭圆光谱

Semi-quantitative study on the Staebler-Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system被引量：2: 《Chinese Physics B》2006年第4期813-817,共5页丁毅刘国汉陈光华贺德衍朱秀红张文理田凌马占杰; The method of numerical simulation is used to fit the relationship between the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and process rule of kinds of different charged defect states during i...; 关键词：hydrogenated amorphous silicon Staebler-Wronski effect microwave electron cyclotronresonant chemical vapour deposition charged defects

微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究被引量：3: 《物理学报》2006年第5期2572-2577,共6页吴振宇杨银堂汪家友; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(批准号:51433020205DZ01)资助的课题~~; 采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结...; 关键词：A-C:F ECR-CVD 键结构电学性质

a-C:F薄膜结构与电学性能研究被引量：1: 《真空科学与技术学报》2006年第1期36-39,65,共5页吴振宇杨银堂汪家友; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(No.51433020205DZ01); 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Ma...; 关键词：A-C:F 电学性能 ECR-CVD 化学组分

用ECR-CVD方法制备SiO_2薄膜: 《真空电子技术》2004年第6期48-50,58,共4页吴振宇杨银堂汪家友; 本文在低温下利用ECR CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系。直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%。对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050cm-1处出现Si O Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明...; 关键词：电子回旋共振化学汽相沉积氧化硅薄膜

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