云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 贵州省科技攻关计划(GY[2011]3015)

贵州省科技攻关计划(GY[2011]3015): 作品数：16被引量：64H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：谢泉肖清泉廖杨芳黄晋马瑞更多>>; 相关机构：贵州大学贵州师范大学北京道冲泰科科技有限公司安顺学院更多>>; 相关期刊：《磁性材料及器件》《低温物理学报》《功能材料》《半导体技术》更多>>; 相关主题：MG_2SI磁控溅射半导体薄膜MG2SIFE3SI更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响被引量：1: 《低温物理学报》2017年第5期16-20,共5页马新宇陈茜廖杨芳肖清泉陈庆姚紫祎谢泉; 国家自然科学基金项目(61264004);贵州省青年英才培养工程项目(黔省专合字[2012]152);贵州省科技厅;贵州大学联合资金项目(黔科合LH字[2014]7610);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003);贵州省自然科学基金项目(黔科合J字[2014]2052);贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字[2012]022)资助的课题; 采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg_2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400~600℃退火温度下制备出一系列Mg_2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子...; 关键词：磁控溅射原位退火 Mg2Si薄膜退火温度方块电阻

SiC基稀磁半导体材料的研究进展被引量：1: 《磁性材料及器件》2017年第2期58-62,共5页王凯谢泉范梦慧; 国家自然科学基金资助项目(61264004);科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004);贵阳市科技计划项目(筑科合同[2012101]2-16);贵州省科技厅项目(黔科合LH字[2015]7218); 稀磁半导体材料(DMS)是一种新型的磁性半导体材料,它同时利用了电子的电荷和自旋属性,兼有铁磁性能和半导体性能,在自旋电子器件领域有着重要的研究价值。主要介绍了DMS的发展过程,总结了最近几年SiC基稀磁半导体材料的研究进展,包括制...; 关键词：SiC基稀磁半导体自旋电子器件居里温度铁磁性

钠钙玻璃上Mg_2Si薄膜的制备及其电学性质被引量：4: 《材料导报》2017年第4期9-13,共5页房迪肖清泉廖杨芳袁正兵王善兰吴宏仙; 国家自然科学基金(61264004);贵州省科技攻关计划(黔科合GY字[2011]3015);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项(黔教合重大专项字[2012]003);贵阳市科技计划(筑科合同[2012101]2-16);贵州省自然科学基金(黔科合J字[2014]2052;黔科合J字[2013]2209);安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心开放基金(HKDZ201403);贵州省青年英才培养工程项目(黔省专合字[2012]152);贵州省科技厅贵州大学联合基金(黔科合LH字[2014]7610);贵州大学研究生创新基金(研理工2016068); 采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度(175nm)的P-Si和N-Si膜,然后在其上溅射不同厚度Mg膜(240nm、256nm、272nm、...; 关键词：钠钙玻璃 Mg2Si薄膜膜厚磁控溅射

光敏电阻的特性研究被引量：2: 《电子技术与软件工程》2016年第20期149-150,共2页刘栋谢泉房迪; 国家自然科学基金项目(61264004);科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003); 光敏电阻作为一种重要的光电转换元件,在自动控制、工业测量、家用电器等领域得到了广泛应用。本文介绍了光敏电阻的特性和主要参数,通过对不同实验条件下得到的特性数据进行分析,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性、光谱特性和延时...; 关键词：光敏电阻光照特性伏安特性光谱特性延时特性

厚膜电阻浆料的研究现状与发展趋势被引量：8: 《电子科技》2016年第9期90-93,共4页李娟谢泉黄晋吴良庆贺晓金; 国家自然科学基金资助项目(61264004);科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003);贵阳市科技计划项目(筑科合同[2012]1012-16);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合J字[2014]2052);贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字[2012]022);贵州省青年英才培养工程项目(黔省专合字[2012]152);贵州省科技厅;贵州大学联合资金资助项目(黔科合LH字[2014]7610); 针对厚膜电阻浆料的研究现状,探讨厚膜电阻浆料中功能相的种类和粒度,玻璃相、有机载体的成分及含量等因素对厚膜电阻浆料的印刷性能和电性能的影响,简述了添加剂的种类对厚膜电阻的电导率等电性能的影响。因此,厚膜电阻浆料的性能参数...; 关键词：厚膜电阻浆料功能相玻璃相有机载体添加剂

基于Mg2Si薄膜的异质结研究现状: 《电子世界》2016年第17期87-87,共1页念刘飞余宏周筑文徐林谢泉; the National Natural Science Foundation of China(51503048);the Construction Project of Key Laboratories from the Education Department of Guizhou Province(No.QJHKY[2015]329);the grant of Guizhou Normal College(107003001455);贵州省光电功能材料设计与模拟特色重点实验室(黔教合KY[2014]217);贵州省等离子体与功能薄膜材料科研创新团队简介(黔教合人才团队字[2014]38);贵州师范学院科研基金资助项目研究成果;国家自然科学基金项目(61264004);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003); 1.前言在半导体材料的应用范围越来越广的同时,由于其含有大量的有毒有害物质而被广泛关注,这时作为环境友好型材料的Mg2Si薄膜就应运而生了。Mg2Si由于其储量丰富且廉价,还具备了耐腐蚀、无污染、抗氧化、无毒无害、能与传统的Si工艺...; 关键词：异质结 MG2SI 半导体材料光学特性言在玻璃基片结构材料热蒸发法电子结构电池材料

环境半导体Fe_3Si的制备及性能研究: 《电子技术与软件工程》2016年第8期140-140,共1页吴良庆; 贵州省科技攻关项目(批准号:黔科合GY字[2011]3015); Fe-Si化合物一直作为环境半导体领域热点之一,深受人们的关注,这主要是因为它们在热电,光电,电磁学等各个领域有着广泛并且非常深入的应用,由于它们具有各种各样的电磁学方面的性质,Fe-Si合金化合物是被作为在热量稳定性接触,环保型太...; 关键词：FE3SI 环境半导体制备机械合金功能材料

负偏压对磁控溅射Mg_2Si薄膜的影响: 《电子元件与材料》2016年第4期35-38,共4页梁枫廖杨芳肖清泉谢泉; 国家自然科学基金资助项目(No.61264004);贵州省科学技术基金资助项目(No.黔科合J字[2013]2209号;贵州省科技攻关资助项目(No.黔科合GY字[2011]3015);贵州省国际科技合作资助项目(No.黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003); 采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg_2Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明,随着负偏压的增大,因压实膜层和二次溅射效应,Mg膜的沉积速率越来越小;在未加负偏压时,M...; 关键词：Mg_2Si薄膜负偏压磁控溅射沉积速率表面形貌电阻率

机械合金化制备Fe_3Si金属间化合物的研究进展被引量：4: 《热加工工艺》2016年第6期5-8,11,共5页马瑞谢泉万明攀黄晋; 国家自然科学基金项目(61264004);贵州省自然科学基金项目(黔科合J字[2012]2120);科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省教育厅"125"重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003); 综述了用机械合金化法制备金属间化合物Fe_3Si的研究现状和发展情况。介绍了球磨时间、球料比、分散剂等球磨参数对Fe_3Si机械合金化过程的影响,同时还介绍了热处理工艺对Fe_3Si合金的影响,以及Fe_3Si机械合金化后粉体的成形烧结工艺及...; 关键词：FE3SI 金属间化合物机械合金化

Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响: 《半导体技术》2015年第7期525-530,共6页杨云良廖杨芳姚震震肖清泉张宝晖章竞予谢泉; 国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作资助项目(黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项资助项目(黔教合重大专项字[2012]003);贵阳市科技计划资助项目(筑科合同[2012101]2-16);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合J字[2014]2052);贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字[2012]152);贵州省科技厅;贵州大学联合资金资助项目(黔科合LH字[2014]7610);贵州大学研究生创新基金资助项目(研理工2014004); 采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品...; 关键词：磁控溅射热处理 Mg2Si薄膜薄膜厚度方块电阻

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