北京市自然科学基金(4092005)

作品数：6被引量：41H指数：4
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相关期刊：《Chinese Physics B》《红外与激光工程》《光谱学与光谱分析》《发光学报》更多>>
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功率型白光LED光学特性退化分析被引量：2
《光谱学与光谱分析》2012年第10期2611-2614,共4页周舟 冯士维 郭春生 张光沉 吴艳艳 
国家(863计划)项目(2009AA032704);北京市自然科学基金项目(4092005);教育部博士点基金项目(20091103110006)资助
将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200h的老化,样品光通量退化为初始值的15%～18%。...
关键词：发光二极管 老化试验 光谱 荧光粉 色温 显色指数 
多发光区大功率激光器的热特性分析(英文)被引量：2
《红外与激光工程》2012年第8期2027-2032,共6页李静婉 冯士维 张光沉 熊聪 乔彦斌 郭春生 
北京市自然科学基金(4092005);国家863计划(2009AA032704)
通过电学温敏参数法测得多发光区大功率激光器瞬态加热响应曲线,利用结构函数法给出了多发光区激光器热阻构成,分析了多发光区激光器热特性。通过串并联热阻网络模型刻画了单发光区、两发光区、四发光区激光器的热阻构成,给出了激光器...
关键词：激光器 热阻 结构函数 
大功率GaN基白光LED荧光层失效机理研究被引量：5
《激光与光电子学进展》2012年第10期168-173,共6页吴艳艳 冯士维 周舟 魏光华 
国家863计划(2009AA032704);北京市自然科学基金(4092005)资助课题
在某些情况下长期服役,发现部分白光发光二极管(LED)器件表面出现黑色物质,影响了光的转换和取出。采用切割剖面、扫描电镜(SEM)和能量弥散光谱仪(EDS)等微区分析手段,辅以电流和温度加速应力实验,对部分老化后表面出现变黑现象的芯片...
关键词：光学器件 失效机理 微区分析 发光二极管 芯片变黑 
GaAs基半导体激光器热特性被引量：8
《红外与激光工程》2011年第11期2134-2137,共4页乔彦彬 冯士维 马骁宇 王晓薇 郭春生 邓海涛 张光沉 
国家863计划(2009AA032704);北京市自然科学基金(4092005);教育部博士点基金(20091103110006)
对GaAs基808 nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原...
关键词：电学法 热特性 半导体激光器 阈值电流 非辐射复合 
GaN基大功率白光LED的高温老化特性被引量：19
《发光学报》2011年第10期1046-1050,共5页周舟 冯士维 张光沉 郭春生 李静婉 
北京市自然科学基金(4092005);国家"863"计划(2009AA032704);教育部博士点基金(20091103110006)资助项目
对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的I-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热...
关键词：大功率白光LED 老化 热阻 失效分析 
Evaluation of thermal resistance constitution for packaged AlGaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method被引量：7
《Chinese Physics B》2011年第2期434-439,共6页张光沉 冯士维 周舟 李静婉 郭春生 
supported by the Natural Science Foundation of Beijing,China (Grant No. 4092005);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2009AA032704);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20091103110006)
The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heat...
关键词：high electron mobility transistor self-heating effect structure function RELIABILITY 
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