张光沉

作品数：10被引量：43H指数：3
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：热阻大电流密度欧姆接触大功率白光LEDGAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《红外与激光工程》《北京工业大学学报》《光谱学与光谱分析》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金国家教育部博士点基金北京工业大学博士启动基金更多>>
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功率型白光LED光学特性退化分析被引量：2
《光谱学与光谱分析》2012年第10期2611-2614,共4页周舟 冯士维 郭春生 张光沉 吴艳艳 
国家(863计划)项目(2009AA032704);北京市自然科学基金项目(4092005);教育部博士点基金项目(20091103110006)资助
将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200h的老化,样品光通量退化为初始值的15%～18%。...
关键词：发光二极管 老化试验 光谱 荧光粉 色温 显色指数 
多发光区大功率激光器的热特性分析(英文)被引量：2
《红外与激光工程》2012年第8期2027-2032,共6页李静婉 冯士维 张光沉 熊聪 乔彦斌 郭春生 
北京市自然科学基金(4092005);国家863计划(2009AA032704)
通过电学温敏参数法测得多发光区大功率激光器瞬态加热响应曲线,利用结构函数法给出了多发光区激光器热阻构成,分析了多发光区激光器热特性。通过串并联热阻网络模型刻画了单发光区、两发光区、四发光区激光器的热阻构成,给出了激光器...
关键词：激光器 热阻 结构函数 
GaAs基半导体激光器热特性被引量：8
《红外与激光工程》2011年第11期2134-2137,共4页乔彦彬 冯士维 马骁宇 王晓薇 郭春生 邓海涛 张光沉 
国家863计划(2009AA032704);北京市自然科学基金(4092005);教育部博士点基金(20091103110006)
对GaAs基808 nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原...
关键词：电学法 热特性 半导体激光器 阈值电流 非辐射复合 
GaN基大功率白光LED的高温老化特性被引量：19
《发光学报》2011年第10期1046-1050,共5页周舟 冯士维 张光沉 郭春生 李静婉 
北京市自然科学基金(4092005);国家"863"计划(2009AA032704);教育部博士点基金(20091103110006)资助项目
对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的I-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热...
关键词：大功率白光LED 老化 热阻 失效分析 
序进应力在线加速退化模型研究被引量：1
《物理学报》2011年第12期628-632,共5页郭春生 万宁 马卫东 熊聪 张光沉 冯士维 
针对线下参数退化模型由于温度冲击而引入误差的问题,基于在线序进应力加速退化实验,建立了在线参数退化模型,提高了以参数变化为计算基础的参数退化模型的准确性.并以3CG120型高频晶体管为例,在150—230℃范围内进行了在线序进应力加...
关键词：序进应力加速实验 参数退化 在线测量 
AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系被引量：7
《物理学报》2011年第8期619-624,共6页陈依新 沈光地 高志远 郭伟玲 张光沉 韩军 朱彦旭 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题~~
目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效...
关键词：复合电流扩展层 复合分布式布拉格反射层 出光效率 结温 
基于有限元分析的集成电路瞬态热模拟被引量：2
《微电子学与计算机》2010年第5期74-77,共4页苏蓉 郭春生 冯士维 张斌 张光沉 
北京工业大学校青年基金项目(X1002013200801);北京工业大学博士启动基金项目(X0002013200802)
结合EDA软件Cadence及目前常用的有限元分析软件ANSYS模拟了芯片的瞬态热效应.将从电路仿真软件中得到的电学参数作为ANSYS软件的载荷,加载到从ANSYS中建立的热模型上,对芯片的瞬态工作状态进行了热仿真,模拟芯片工作时的瞬态温度分布....
关键词：集成电路 瞬态热分析 芯片最高温升 脉冲占空比 
大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第3期469-472,共4页张跃宗 冯士维 郭春生 张光沉 庄四祥 苏蓉 白云霞 吕长志 
国家863项目(编号2006AA03A112)
对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利...
关键词：大电流密度 欧姆接触 比接触电阻 
Y波导调制器耦合处在低温冲击下的ANSYS模拟
《半导体光电》2008年第6期844-846,850,共4页王羽 张小玲 吕长志 张光沉 王同庆 
北京工业大学青年科研基金资助项目(13700281);北京工业大学研究生科技基金项目(ykj-2006-416)
使用ANSYS有限元分析软件,对Y波导调制器在受到从室温降至-55℃的低温冲击时,光纤与波导耦合处的应力分布和弹性位移进行了模拟。将计算结果与实验数据进行了对比。分析表明,由于材料性质的差异导致耦合处的受温形变是其低温下工作参数...
关键词：Y波导调制器 ANSYS模拟 低温冲击 
基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法被引量：2
《北京工业大学学报》2008年第12期1254-1257,共4页冯士维 张跃宗 孟海杰 郭春生 张光沉 吕长志 
国家'八六三'计划资助项目(2006AA03A112);北京工业大学校青年基金(X1002013200801);北京工业大学博士启动基金(X0002013200802).
在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次...
关键词：大电流密度 欧姆接触 接触电阻率 电迁移 
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