白云霞

作品数：3被引量：6H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：功率VDMOS可靠性大电流密度INGAAS/INP比接触电阻更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划北京工业大学博士启动基金北京市自然科学基金国家留学基金更多>>
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大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第3期469-472,共4页张跃宗 冯士维 郭春生 张光沉 庄四祥 苏蓉 白云霞 吕长志 
国家863项目(编号2006AA03A112)
对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利...
关键词：大电流密度 欧姆接触 比接触电阻 
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性被引量：4
《半导体技术》2009年第1期79-82,共4页白云霞 郭春生 冯士维 孟海杰 吕长志 李志国 
国家863项目(2006AA03A112);北京工业大学博士启动基金(X0002013200802);北京工业大学校青年基金(X1002013200801)
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据...
关键词：垂直双扩散场金属氧化物半导体 失效激活能 失效机理 Arrhenius模型 最好线 
探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第10期855-858,共4页庄四祥 冯士维 王承栋 白云霞 苏蓉 孟海杰 
北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs...
关键词：探测器 光响应度 INGAAS/INP 结深 
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