苏蓉

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：集成电路有限元分析大电流密度INGAAS/INP比接触电阻更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：北京工业大学博士启动基金北京市自然科学基金国家留学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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基于有限元分析的集成电路瞬态热模拟被引量：2
《微电子学与计算机》2010年第5期74-77,共4页苏蓉 郭春生 冯士维 张斌 张光沉 
北京工业大学校青年基金项目(X1002013200801);北京工业大学博士启动基金项目(X0002013200802)
结合EDA软件Cadence及目前常用的有限元分析软件ANSYS模拟了芯片的瞬态热效应.将从电路仿真软件中得到的电学参数作为ANSYS软件的载荷,加载到从ANSYS中建立的热模型上,对芯片的瞬态工作状态进行了热仿真,模拟芯片工作时的瞬态温度分布....
关键词：集成电路 瞬态热分析 芯片最高温升 脉冲占空比 
大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第3期469-472,共4页张跃宗 冯士维 郭春生 张光沉 庄四祥 苏蓉 白云霞 吕长志 
国家863项目(编号2006AA03A112)
对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利...
关键词：大电流密度 欧姆接触 比接触电阻 
探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第10期855-858,共4页庄四祥 冯士维 王承栋 白云霞 苏蓉 孟海杰 
北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs...
关键词：探测器 光响应度 INGAAS/INP 结深 
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