孟海杰

作品数：3被引量：7H指数：2
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：欧姆接触功率VDMOS可靠性大电流密度接触电阻率更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《北京工业大学学报》《半导体技术》更多>>
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基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性被引量：4
《半导体技术》2009年第1期79-82,共4页白云霞 郭春生 冯士维 孟海杰 吕长志 李志国 
国家863项目(2006AA03A112);北京工业大学博士启动基金(X0002013200802);北京工业大学校青年基金(X1002013200801)
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据...
关键词：垂直双扩散场金属氧化物半导体 失效激活能 失效机理 Arrhenius模型 最好线 
基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法被引量：2
《北京工业大学学报》2008年第12期1254-1257,共4页冯士维 张跃宗 孟海杰 郭春生 张光沉 吕长志 
国家'八六三'计划资助项目(2006AA03A112);北京工业大学校青年基金(X1002013200801);北京工业大学博士启动基金(X0002013200802).
在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次...
关键词：大电流密度 欧姆接触 接触电阻率 电迁移 
探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第10期855-858,共4页庄四祥 冯士维 王承栋 白云霞 苏蓉 孟海杰 
北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs...
关键词：探测器 光响应度 INGAAS/INP 结深 
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