博士科研启动基金(BS1128)

作品数：5被引量：8H指数：2
导出分析报告
相关作者：冯松高勇薛斌翟学军宋立勋更多>>
相关机构：西安工程大学西安理工大学更多>>
相关期刊：《电力电子技术》《物理学报》《西安理工大学学报》《光电子．激光》更多>>
相关主题：电光调制器纳米锗硅SI/SIGE/SIPIN结构更多>>
相关领域：电子电信更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析被引量：4
《物理学报》2016年第5期90-97,共8页冯松 薛斌 李连碧 翟学军 宋立勋 朱长军 
国家自然科学基金(批准号:61204080);陕西省教育厅科研计划(批准号:15JK1292);西安工程大学博士科研启动基金(批准号:BS1128;BS1436);西安工程大学研究生教育"质量工程"项目(批准号:15yzl10);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目(批准号:(2008)169)资助的课题~~
PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗...
关键词：光电子器件 电光调制器 锗硅 异质结能带 
微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第1期71-75,共5页冯松 高勇 薛斌 
国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)
在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法...
关键词：光子器件 弯曲光波导 微纳米 锗硅绝缘体上硅 弯曲损耗 
微纳米PIN电光调制器的优化被引量：4
《光电子．激光》2014年第5期870-875,共6页冯松 高勇 
国家自然科学基金(61204080);陕西省教育厅科研计划(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金(BS1128);陕西省普通高校重点学科建设专项资金((2008)169)资助项目
在微纳米PIN电光调制器的基础上,分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系,采用在驱动信号中加入正反向预加重电压的调制电压方式,不仅可以提高注入载流子浓度,而且可以缩短反向抽取载流子所...
关键词：光电器件 电光调制器 PIN结构 载流子浓度 
SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
《西安理工大学学报》2013年第3期314-318,共5页冯松 高勇 
国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划资助项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128)
基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和G...
关键词：绝缘层上锗硅 定向耦合器 耦合长度 耦合间距 
IGBT阻断能力的优化设计
《电力电子技术》2013年第7期99-100,共2页冯松 高勇 
国家自然科学基金(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金项目资助(BS1128)~~
阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 平面穿通型 场限环 阻断能力 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部