西安应用材料创新基金

作品数：214被引量：564H指数：9
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Cu掺杂量对ZnO∶Cu纳米粉体发光性能的影响被引量：3
《西安工业大学学报》2013年第10期836-839,855,共5页单民瑜 陈卫星 张文治 
西安应用材料创新基金(XA-AM-200912);国家自然科学基金项目(51303147)
为了考察Cu掺杂量对产物发光性能的影响,本文在PVA溶液中制备出Cu掺杂ZnO纳米粉体的前驱体,经500℃煅烧3h获得ZnO∶Cu纳米粉体.利用XRD、TEM分析了产物的结构和形貌,并采用FS分析了Cu掺杂量对产物发光性能的影响.研究结果表明所制备的...
关键词：氧化锌 掺杂量 光致发光 聚乙烯醇 
不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响
《广东化工》2013年第15期5-6,共2页顾永强 陈卫星 张小龙 谭育虎 
西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200912);大学生创新训练项目(201210702019)
采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组。3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV。随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度...
关键词：烷基取代聚噻吩 密度泛函理论 电子性能 
聚(3-噻吩乙酸)的合成与表征被引量：1
《西安工业大学学报》2013年第4期329-333,共5页米巧艳 陈卫星 张苏艳 
西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200912)
以3-噻吩乙酸为单体,通过化学氧化法制备了聚(3-噻吩乙酸甲酯),将其水解后得到聚(3-噻吩乙酸),聚(3-噻吩乙酸)在强极性溶剂中具有较好的溶解性.通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和核磁共振谱(1H NMR)对聚合物的结构进行了分析,证实所得聚...
关键词：聚(3-噻吩乙酸) 聚噻吩 光伏材料 能隙 
Cu-In预置层后硫化法制备CuInS_2薄膜
《太阳能学报》2013年第6期1010-1014,共5页马剑平 高杨 
西安应用材料创新基金(XA-AM-09014)
采用预置层后硫化法制备CuInS2薄膜,分析硫化退火工艺条件对薄膜性能的影响。利用XRD、EDS、分光光度计等薄膜分析手段表征CuInS2薄膜性能对制备工艺条件的依赖关系。实验结果表明:合适的退火条件可有效改善薄膜的结晶学性能,消除薄膜...
关键词：CuInS2薄膜 硫化 退火 预置层 
煅烧温度对Cu掺杂ZnO纳米粉体的制备及发光性能的影响被引量：3
《发光学报》2012年第11期1204-1208,共5页单民瑜 陈卫星 王丽玲 刘秀兰 
西安-应用材料创新基金(XA-AM-200912)资助项目
在PVA溶液中制备ZnO∶Cu纳米粉体的前驱体,经过煅烧获得ZnO∶Cu纳米粉体,考察煅烧温度对制备过程及发光性能的影响。利用XRD、TEM分析了产物的结构和形貌,XRD分析结果表明,当煅烧温度高于500℃时,可以使PVA完全分解,制备出具有六角纤锌...
关键词：氧化锌 掺杂 聚乙烯醇 煅烧温度 光致发光 
单周期CRM PFC转换器的零交越失真优化设计被引量：2
《西安电子科技大学学报》2012年第2期108-113,共6页李娅妮 杨银堂 朱樟明 强玮 刘帘曦 
国家自然科学基金资助项目(60725415,60971066);国家863计划资助项目(2009AA01Z258,2009AA01Z260);国家重大科技专项资助项目(2009ZX01034-002-001-005);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200814,XA-AM-201010)
为降低总谐波失真提高电源效率,基于单周期临界导通功率因数校正(PFC)转换器,研究了零交越失真现象的优化设计方法.采用周期性自启动定时电路,不论电感电流是否下降到零,及时触发新的开关周期,以避免由于电感反向漏电所引入的导通延迟,...
关键词：功率因数校正 零交越失真 单周期 临界模式 总谐波失真 
光伏并网发电试验系统研究
《微电子学与计算机》2012年第1期127-130,共4页杨清宇 张子光 邢志勐 马训鸣 
西安-应用材料创新基金(XA-AM-200911)
研究了一种户用两级式光伏并网发电试验系统,给出了系统的总体实现方案,设计并实现了试验系统的主要功能模块.通过本试验系统,可以实现将太阳光辐照强度和温度用于最大功率点跟踪及并网发电系统与电力调度中心的实时通信,提高最大功率...
关键词：光伏并网发电 最大功率点跟踪 可调度性 
超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究被引量：1
《物理学报》2012年第2期509-515,共7页陈海峰 过立新 
西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金(批准号:ZL2010-19)资助的课题~~
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏(GIDL)电流I_D的影响,发现不同V_G下ln(I_D/(V_(DG)-1.2))-1/(V_(DG)-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通...
关键词：GlDL 带带隧穿 CMOS LDD NMOSFET 
PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响被引量：4
《人工晶体学报》2012年第1期24-27,共4页杨明超 陈治明 封先锋 林生晃 李科 刘素娟 刘宗芳 
西安应用材料创新基金(XA-AM-201013)
PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响。本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向...
关键词：SIC 数值模拟 缺陷 热应力 
质子酸掺杂聚苯胺的电磁参数及吸波性能研究被引量：4
《西安工业大学学报》2011年第7期630-633,共4页颜海燕 陈卫星 寇开昌 
西安应用材料创新基金(XA-AM-200912)
探讨不同质子酸掺杂对聚苯胺结构、电磁参数及吸波性能的影响.采用化学氧化法将HCl,H2SO4,DBSA(十二烷基苯磺酸),TSA(甲基苯磺酸),SSA(磺基水杨酸)分别制备了二次掺杂聚苯胺.通过FTIR,Uv-Vis、四探针法、四态四端口测试系统分析了掺杂...
关键词：聚苯胺 质子酸 掺杂 吸波 
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