国家自然科学基金(61106009)

作品数：5被引量：5H指数：1
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相关期刊：《Journal of Semiconductors》《电子元件与材料》《发光学报》《Science China(Information Sciences)》更多>>
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Spin-valve magnetoresistance in single-phaseε-Fe2～3N film
《Science China(Information Sciences)》2019年第12期237-239,共3页Zhikuo TAO Lilei XU Henan FANG Lin CHEN Jiangwei CHEN 
supported by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61574079,61106009,11704197);Open Foundation of Jiangsu Province Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Science and Technology(Grant No.2018JSGDXX016)
Dear editor,ε-Fe2~3N has been investigated as a potential candidate in spintronics devices[1].With the changing ratio of Fe:N,the magnetic behaviors and the spin transport properties of ε-Fe2~3N can be manipulated[2...
关键词：FILM tempera EDITOR 
栅控电势磁性隧道结的隧穿磁阻研究被引量：1
《电子元件与材料》2015年第8期47-51,共5页方贺男 陶志阔 
国家自然科学基金资助项目(No.61106009);江苏省自然科学青年基金资助项目(No.BK20130866);江苏省高校自然科学研究面上项目资助(No.14KJB510020);南京邮电大学校级科研基金资助项目(No.NY213025;NY213145)
基于Slonczewski理论模型和矩阵方法研究了由栅控制中间层电势高度的磁性隧道结的隧穿磁阻效应。数值计算了中间层势垒为0~3 V以及中间层势阱为0~3 V的磁性隧道结的隧穿磁阻随着中间层厚度改变的变化曲线。计算结果表明，当中间层为势...
关键词：隧穿磁阻效应 磁性隧道结 栅控中间层 自旋极化输运 自旋电子器件 自旋电子学 
基于光学传输矩阵的太赫兹时域光谱分析被引量：4
《发光学报》2014年第11期1401-1404,共4页方贺男 陶志阔 
国家自然科学基金(61106009);江苏省自然科学青年基金(BK20130866);江苏省高校自然科学研究面上项目(14KJB510020);南京邮电大学校级科研基金(NY213025;NY213145)资助项目
提出了基于光学传输矩阵的提取太赫兹时域光谱光学参数的理论方法。相比于传统的提取主脉冲方法,该方法在未来可以推广用以分析主脉冲与次脉冲无法分辨的太赫兹时域光谱。利用该方法得到了蓝宝石(α-Al2O3)样品在0.3~1.0太赫兹频段的复...
关键词：太赫兹时域光谱 光学传输矩阵 复折射率 
Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2012年第5期153-158,共6页陶志阔 陈琳 
国家自然科学基金(61106009);江苏省高校自然科学基金(10KJD510005;10KJD510006;10KJB510015);南京邮电大学引进人才科研启动基金(NY210076;NY209009;NY210075)资助项目
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出不同Fe掺杂浓度的GaN薄膜,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行了研究。对于低掺杂浓度的Fe掺杂GaN样品,X射线衍射和高分辨透射电镜均没有发现其他相物质存在;对于高浓度掺杂的样品,X...
关键词：金属有机物化学气相沉积 稀磁半导体 团簇 
Microstructural properties of over-doped GaN-based diluted magnetic semiconductors grown by MOCVD
《Journal of Semiconductors》2012年第7期16-19,共4页陶志阔 张荣 修向前 崔旭高 李丽 李鑫 谢自力 郑有炓 郑荣坤 Simon P Ringer 
supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project,China(No.2011CB301900);the Hi-Tech Research Project,China(No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China(Nos.60990311,60820106003,608201060,60906025,60936004,61106009);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(Nos.BK2008019,K2009255,BK2010178, BK2010385);the Research Funds from NJU-Yangzhou Institute of Opto-Electronics
We have grown transition metal （Fe, Mn） doped GaN thin films on c-oriented sapphire by metal-organic chemical vapor deposition. By varying the flow of the metal precursor, a series of samples with different ion con-...
关键词：MOCVD DMS high-resolution TEM 
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