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作品数:7被引量:2H指数:1
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发文领域:金属学及工艺化学工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文主题:晶片石英管砷化镓高纯磷化铟更多>>
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高纯镓颗粒的制备及其成形合格率的研究
《广州化工》2024年第19期80-84,共5页彭伟校 王晶 徐成 吴广杰 李清宇 耿思宇 李恋 李明吉 
以不同纯度的液态高纯Ga为原料,采用液滴凝固法制备了高纯Ga颗粒。使用DSC表征了不同纯度的液态Ga在降温过程中的热流变化。通过调节冷却温度、聚四氟坩埚孔径大小以及纯度研究了高纯Ga颗粒的成形合格率。研究发现:相同纯度和尺寸大小...
关键词:高纯镓 液滴凝固法 冷却温度 纯度 孔径 合格率 
高纯三氯化锑的提纯工艺研究
《广州化工》2024年第18期65-69,共5页彭伟校 李明吉 吴广杰 李清宇 徐成 王晶 李恋 
以国标级99.80%三氧化二锑为原料,研究了合成三氯化锑时盐酸比例、蒸发温度、精馏提纯釜内温度等因素对高纯三氯化锑制备的影响。研究结果表明:三氧化二锑合成三氯化锑时,盐酸用量为化学计量比的1.5倍;三氯化锑母液蒸发浓缩工序中,120...
关键词:三氯化锑  高纯 三氧化锑 精馏 
第二代半导体材料及其原材料高纯砷被引量:1
《广东化工》2022年第23期7-9,共3页曾小东 胡丹 徐成 
本文综合阐述了第二代半导体材料砷化镓原材料高纯砷的特性,砷储量及分布情况、应用,对比了现有制备技术的优缺点,对影响高纯砷纯度的相关因素进行了分析讨论。目前制备高纯砷的主要技术有升华蒸馏法、铅熔池升华法、砷化氢热分解法、...
关键词:高纯砷 半导体材料 制备方法 氯化还原法 除杂 
影响VGF法GaAs-Si单晶成品率的因素
《广东化工》2022年第23期21-23,共3页王金灵 罗小龙 
阐述了现有VGF法GaAs-Si单晶生长过程中影响晶体成品率的各种因素。实验过程利用单晶生长炉进行生产出4英寸GaAs-Si单晶,使用磨床除去晶棒表面氧化层,再用氢氧化铵、过氧化氢和纯水按2∶1∶1浸泡,纯水冲洗干净,用纸巾擦干晶棒表面。通...
关键词:成品率 砷化镓 单晶生长 VGF生长法 孪晶 
砷化镓单晶线性孪晶长度判断方法研究
《信息记录材料》2022年第12期36-38,共3页王金灵 刘火阳 
本文研究线性孪晶在晶体中的生长存在规律性,根据几何关系的换算则可以计算出M-Twin需要切割的砷化镓单晶长度。实验验证利用理论公式计算晶棒的M-Twin长度与实际M-Twin切除长度接近,证明该计算方法可以判断砷化镓线性孪晶的长度,可以...
关键词:线性孪晶 砷化镓单晶 长度判断 
氯化法制备高纯材料被引量:1
《广东化工》2022年第22期279-282,共4页曾小东 徐成 胡丹 
氯化法制备高纯材料,可以分为几类,一类是直接生成高纯的氯化物材料,这一类包含有四氯化锡,三氯化镓,三氯化铟,四氯化碲,四氯化铪等;另一类是生成的氯化物经过提纯,再经过氢化还原生成高纯单质,这里包含有高纯砷,高纯锑,高纯磷等[1]。...
关键词:氯化物 高纯材料 除氯、除水 耐腐材料 
区域熔炼生产超高纯镉的工艺研究
《广东化工》2022年第11期1-4,共4页黄杰杰 何志达 李清宇 狄聚青 
广东省科技厅+广东省省级科技计划项目(2018年)+广东省高性能薄膜太阳能材料企业重点实验室+项目编号:2018B030323010资助。
超高纯镉纯度为99.99999%,由其制备的CdZnTe晶体广泛用于光电器件、红外探测器、核辐射探测器等。超高纯镉的制备方式主要为区域熔炼法,研究表明杂质元素的平衡分离系数、熔区长度、区熔次数、区熔速度对工艺的提纯效果有直接影响。在...
关键词:区域熔炼 制备 氢化还原 提纯 杂质 
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