PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
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P沟MOSFET/FIPOS的γ射线总剂量辐照特性
《核技术》1998年第1期43-47,共5页竺士炀 黄宜平 高剑侠 
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的ＳＯＩ材料。研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏγ射线总剂量辐照特性，表明经５ｋＧｙ（Ｓｉ）辐照后，器件仍有特性，但...
关键词：SOI材料 PMOSFET 总剂量辐照 Γ射线 CMOS 
掺HCl　PMOSFET的电离辐射总剂量效应被引量：3
《核技术》1995年第2期117-120,共4页张国强 严荣良 余学锋 高剑侠 罗来会 任迪远 赵元富 胡浴红 王英明 
用亚阈技术分析研究了干氧栅氧化期间通入ＨＣｌ所制作的ＰＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏ辐照响应。结果表明，栅介质中掺入少量ＨＣｌ能抑制辐射感生阈电压漂移和界面态增长；固定ＨＣｌ流量为１５ｍｌ／ｍｉｎ时的最优通入时间范围为１０－...
关键词：PMOSFET 电离辐射 总剂量 HCI 
高压偏移栅PMOSFET击穿电压的电离辐照响应被引量：2
《核技术》1993年第1期1-5,共5页高文钰 任迪远 陆妩 严荣良 赵元富 李荫波 
揭示了辐照引起击穿电压变化的机制,提出了提高高压偏移栅PMOSFET击穿电压抗电离辐照的方法。对辐照后击穿电压退火特性进行了研究。
关键词：击穿电压 辐照 电离辐射 MOS电路 
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