SNAPBACK

作品数：24被引量：35H指数：3
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NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
《电子与封装》2012年第3期36-40,共5页高国平 蒋婷 韩兆芳 孙云华 
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A...
关键词：NMOS SNAPBACK ESD 模型 HICUM Mextram VBIC 
Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology被引量：4
《Journal of Semiconductors》2009年第8期82-89,共8页姜玉稀 李娇 冉峰 曹家麟 杨殿雄 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60773081,60777018);the AM Foundation by Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(No.087009741000);the SDC Project by Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(Nos.08706201800,077062008,08706201000)
Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS device...
关键词：electrostatic discharge gate-grounded NMOS snapback characteristic layout parameters 
A Novel GGNMOS Macro-Model for ESD Circuit Simulation
《Chinese Journal of Electronics》2009年第4期630-634,共5页JIAO Chao JIAO Chao YU Zhiping YU Zhiping 
This work is supported by the National Natural Science Foundation of China （No.90307016）.
A novel macro-model for ESD circuit sim- ulation with only five fitting parameters is proposed. In this model a new topology and a new multiplication factor equation are proposed as well as the extracting method. This...
关键词：Gate-grounded-NMOS Electrostatic dis- charge  ESD modeling  Human body model  Snapback. 
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