NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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应变Si NMOSFET总剂量效应
《电子科技》2018年第9期1-3,17,共4页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的...
关键词：总剂量 阈值电压 隧穿 热载流子 栅电流 
应变Si纳米NMOSFET单粒子效应被引量：1
《电子科技》2018年第8期38-41,共4页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长...
关键词：单粒子瞬态 漏极偏置 栅长 注入位置 
单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化被引量：1
《电子科技》2018年第7期46-50,共5页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件参数优化的方法。首先利用Sentauru...
关键词：应变SI NMOSFET 氮化硅薄膜(SiN) 沟道应力 参数优化 
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