异质栅

作品数：16被引量：15H指数：2
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异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第4期746-750,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:681231366);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701);教育部重点科技研究(批准号:104172)资助项目~~
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求...
关键词：异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型 
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