元素半导体

作品数：26被引量：23H指数：4
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编者按
《人工晶体学报》2023年第5期I0005-I0006,共2页陈小龙 牛智川 李忠辉 芦红 
1947年,世界上第一个晶体管诞生,开启了以硅半导体为代表的信息时代。“一代材料、一代器件、一代技术”。半个多世纪来,半导体材料与器件支撑了信息技术的飞速发展,而信息技术的发展需求又驱动了半导体材料与器件工艺的进步。元素半导体。
关键词：元素半导体 硅半导体 半导体材料与器件 信息技术 信息时代 晶体管 编者按 
第三代半导体驶入发展快车道
《变频器世界》2022年第11期1-1,共1页《变频器世界》编辑部 
随着现代材料科技的创新发展,半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料,发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,推动了现代互联网、通信、新能源等新兴产业的快速发展。我国提出了“双碳”目标后,对半导体材料的应用...
关键词：新兴产业 半导体材料 元素半导体 能源转换效率 氮化镓 第三代半导体 新能源 现代互联网 
基于柔性晶体硅电池的光伏瓦研究
《太阳能学报》2022年第8期104-107,共4页陈敬欣 丁阳 张翼飞 陈静伟 宋登元 许颖 
河北省重点研发计划(19274305D,20314305D);国家重点研发计划(2018YFB1500504);教育部“春晖计划”合作科研项目。
光伏瓦作为一种建筑材料,可替代屋顶陶瓦建材,且增加了发电功能,以薄膜电池为主的柔性光伏瓦具有质量轻和可弯曲的特性,但存在转换效率低、使用寿命短的问题。采用柔性晶体硅太阳电池,通过固化炉加气压釜的新型层压工艺,克服了层压过程...
关键词：元素半导体 晶硅 太阳电池 柔性 机械性能 光伏瓦 
三代半导体材料发展历程
《科技导报》2021年第14期F0002-F0002,共1页
第一代半导体材料:主要指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生。主要应用:低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。
关键词：半导体材料 元素半导体 功率晶体管 光电探测器 集成电路 电子管 发展历程 性能特点 
新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展被引量：4
《中国科技产业》2018年第1期54-55,共2页李晋闽 
第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（In...
关键词：第三代半导体材料 产业创新 动能转换 核心竞争力 元素半导体 微电子产业 信息技术 信息产业 
不含磁性元素的磁半导体
《金属功能材料》2017年第6期11-11,共1页
日本理化学研究所川崎雅司研究团队开发成功不含磁性元素却具有磁性的半导体。具体制法是在ZnO晶体中引入原子尺寸的缺陷,当这种晶体冷却到-173℃,再外加1T磁场,这时晶体中的电子就朝磁场方向排列,从而呈现异常的霍尔效应。出现这种效...
关键词：元素半导体 磁半导体 磁性 ZNO晶体 磁场方向 电子运动 化学研究所 原子尺寸 
可印刷光伏电池推动纳米材料技术发展
《纳米科技》2013年第5期91-91,共1页
皇家墨尔本理工大学（RMITUniversity，RMlT）研究小组与澳大利亚及日本顶级科学家携手合作，推进下一代太阳能电池技术发展。本次合作研发项目的焦点聚焦在使用纳米技术更为廉价并且毒性更小的光伏电池之上。针对可打印太阳能电池应用...
关键词：光伏电池 纳米材料技术 太阳能电池 印刷 元素半导体 澳大利亚 电池技术 纳米技术 
10～30keV二次电子发射系数的表达式被引量：6
《真空科学与技术学报》2013年第6期542-546,共5页谢爱根 王祖松 刘战辉 詹煜 吴红艳 
国家自然科学基金专项(No.51245010)
根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数...
关键词：通式 二次电子发射系数 金属 半金属 元素半导体 
多元化合物太阳电池
《能源与节能》2012年第1期67-67,共1页
多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种：a）硫化镉太阳能电池b）砷化镓太阳能电池c）铜铟硒太阳能电池（新型多元带隙梯度cu（In，Ga）Se2薄膜...
关键词：太阳电池 化合物 薄膜太阳能电池 元素半导体 工业化生产 光吸收材料 铜铟硒 砷化镓 
低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2009年第2期75-78,共4页吴海平 张国庆 王辉 夏燕萍 陶宇 陶国良 
浙江理工大学教育部重点实验开放基金(2008005)
低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景。
关键词：纳米材料 半导体 硅 锗 
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