云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 栅电介质材料

栅电介质材料: 作品数：3被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘治国朱俊石磊殷江高立刚更多>>; 相关机构：南京大学北京有色金属研究总院电子科技大学更多>>; 相关期刊：《材料导报》更多>>

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高介电常数栅极电介质材料的研究进展被引量：4: 《材料导报》2005年第3期37-39,51,共4页张化福祁康成吴健; 电子科技大学青年基金(基金编号 YF020503); 随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的 MOSFET 的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而,当传统栅介质层 SiO_2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO_2将失去介电性能,致使器件无法正常工作。因此,必须...; 关键词：栅介质栅极高介电常数材料特征尺寸栅电介质材料 MOSFET 集成电路正常研究进展层厚

应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜: 《科技开发动态》2004年第5期52-52,共1页; 关键词：MOS场效应管栅电介质材料氮铝酸锆薄膜氧化锆半导体

高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜: 《科技开发动态》2004年第5期52-52,共1页; 关键词：介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜热力学稳定性脉冲激光沉积技术场效应管

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