栅介质

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相关作者：郝跃徐秋霞刘红侠张波黄如更多>>
相关机构：西安电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司北京大学中国科学院微电子研究所更多>>
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半导体与微电子技术
《电子科技文摘》2003年第12期20-20,共1页
Y2002-63586 03277372001年IEEE纳米技术会议录=2001 1st IEEE confer—ence on nanotechnology(会,英]/IEEE Robotics and Au-tomatlon Society.—571P.本会议录收集了于2001年10月28-30日在夏威夷Maui召开的纳米技术会议上发表的104...
关键词：NANOTECHNOLOGY 会议录 confer 热氧化 栅介质 量子计算机 化学汽相淀积 复合膜 生物传感器 固体电子学 
半导体微电子技术与纳米技术
《电子科技文摘》2003年第11期33-36,共4页
0810 半导体物理0325053Si3N4/SiO2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析[刊]/范隆//西安电子科技大学学报.-2003,30（3）.-302-3050325054AIGaN/GaN 中二维电子气研究新进展[刊]/张金凤//西安电子科技...
关键词：纳米技术 栅介质 二维电子气 张金凤 硬件描述语言 编程模拟 时序逻辑电路 电子能谱 发射特性 频率合成器 
半导体材料
《电子科技文摘》2003年第4期6-6,共1页
Y2002-63306-260 0306976p 型磷化铟等离子体感应缺陷快速迁移=Fast migra-tion of plasma-induced defects in p-InP[会,英]/Okumu-ra,T.& Honda,T.//2001 IEEE International Confer-ence on Indium PhospKde and Related MaterialS....
关键词：半导体材料 磷化铟 光致发光 defects HONDA 超晶格 瞬态 热载流子 栅介质 微电子研究所 
半导体物理
《电子科技文摘》2002年第5期22-23,共2页
Y2001-62925-185 0208110浅掺杂对多级深掺杂稳态概率函数的影响=Iuflueuceof shallow impurity on steady-state probability function ofmultilevel deep impurity[会,英]/Divkovic Puksec,J.//2000 IEEE Mediterranean Electrotechni...
关键词：半导体物理 IMPURITY 概率函数 shallow 击穿特性 同质结 栅介质 氧化层 量子点 载流子传输 
其它材料
《电子科技文摘》2001年第2期5-6,共2页
Y2000-62474-133 0101839备择栅介质应用的具有低漏泄与极好可靠性的超薄二氧化铪=Ultrathin hafnium oxide with low leakage andexcellent reliability for alternative gate dielectric applica-tion[会,英]/Lee,B.H.& Kang.L.//1999...
关键词：栅介质 深亚微米 二氧化铪 可靠性 镁基复合材料 炭塑复合材料 残余应力 线膨胀系数 超薄 漏泄 
材料
《电子科技文摘》2000年第1期7-7,共1页
本部分共收录论文7篇。其论文题目有:利用氧注入的亚5纳米多厚度栅氧化技术,2GHz 系统级芯片用的多种栅氧化层厚度,具有较高膜强度和较平滑SiO2/Si 界面的高可靠 SiO2的氧原子团过程,氮化工程对亚10nm 隧道介质...
关键词：栅氧化 系统级芯片 快速热处理 栅介质 高质量 收录论文 微观应力 可靠性 电流特性 论文题目 
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