等离子体刻蚀

作品数：172被引量：335H指数：8
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FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化被引量：1
《半导体技术》2019年第9期691-695,共5页李国荣 张洁 赵馗 耿振华 曹思盛 刘志强 刘身健 张兴 
由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布...
关键词：等离子体刻蚀 鳍型场效应晶体管(FinFET) 偏置射频频率 离子能量分布(IED) 刻蚀选择比 离子损伤 
Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层
《半导体技术》2015年第9期675-678,717,共5页刘上贤 汪明刚 夏洋 
基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀。采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组...
关键词：磁性材料 等离子体刻蚀 Ar/CO/NH3 磁随机存储器(MRAM) 多步刻蚀 
Si材刻蚀速率的工艺研究被引量：3
《半导体技术》2008年第10期862-865,共4页蔡长龙 马睿 周顺 刘欢 刘卫国 
西安-应用材料创新基金研究项目(XA-AM-200618)
在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻...
关键词：硅 等离子体刻蚀 刻蚀速率 工艺参数 
等离子体刻蚀工艺控制模型分析
《半导体技术》2006年第2期115-118,共4页王巍 叶甜春 吴志刚 田益祥 
国家973项目(G200036504)
讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离予体刻蚀工艺中的应用。结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性。
关键词：等离子体刻蚀 主因素分析法 神经网络法 
等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展
《半导体技术》2005年第12期1-4,共4页王巍 叶甜春 刘明 陈大鹏 
国家自然科学基金项目资助(60236010)
先进过程控制(APC)是一个多层次的控制系统,其包含了实时的设备及工艺控制和非实时的RtR控制。APC引入等离子体刻蚀过程控制可极大提高刻蚀机的使用效率。针对等离子体刻蚀过程,本文分别从实时控制和RtR控制两个不同层次展开了论述,概述...
关键词：等离子体刻蚀 先进过程控制 实时控制 流程与流程控制 
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