等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
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相关作者：郝跃唐瑜王守国胡顺欣邓建国更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》《微电子学》更多>>
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等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤被引量：3
《固体电子学研究与进展》2003年第1期126-132,共7页朱志炜 郝跃 赵天绪 张进城 
重点预先研究项目支持研究 (项目编号 :8.5 .3 .4)
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的...
关键词：等离子体工艺 MOSFET 栅氧化层损伤 半导体器件 等离子体损伤 天线结构 集成电路 
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