等离子体增强化学气相沉积

作品数：200被引量：425H指数：8
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PECVD生长垂直石墨烯的场发射特性研究
《半导体光电》2022年第6期1124-1129,共6页叶志豪 许坤 丁佩 李艳 田喜敏 段向阳 杨鹏 李倩倩 赵梦圆 杜银霄 陈雷明 曾凡光 
河南省高等学校重点科研项目基础专项项目(22ZX012);河南省重点研发与推广专项(科技攻关)项目(212102210271);河南省高等学校重点科研项目(21B140010);河南省高校科技创新团队项目(22IRTSTHN004);航空科学基金项目(ASFC-2019ZF055002)。
采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以甲烷为碳源,在金属铜箔上制备了三维垂直石墨烯。通过调节生长参数,进行了七组对比实验,利用扫描电子显微镜,拉曼光谱对垂直石墨烯的形貌、质量以及层数进行了表征,用二级结构的场发射...
关键词：场发射特性 垂直石墨烯 石墨烯边缘 等离子体增强化学气相沉积 
掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究被引量：1
《半导体光电》2008年第5期705-708,共4页杨利霞 吴志明 李世彬 蒋亚东 朱魁鹏 李伟 廖乃镘 
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)
以硅烷和硼烷为气相反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化,以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明,刚制备出来的样品存在氧化现象,长时间光照会出现...
关键词：氢化非晶硅 硼掺杂 噪声 等离子体增强化学气相沉积 
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究被引量：3
《半导体光电》2007年第1期80-82,103,共4页史磊 李伟 匡跃军 廖乃镘 蒋亚东 
用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 掺磷非晶硅薄膜 电阻率 电阻温度系数 
等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究被引量：3
《半导体光电》2004年第5期380-383,387,共5页张立江 熊兵 王健 孙长征 钱可元 罗毅 
国家"973"计划资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目 (2 0 0 1AA3 1 2 1 80 )
　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量...
关键词：减反射膜 等离子体增强化学气相沉积 低反射率 
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