正电子湮没技术

作品数：68被引量：91H指数：5
导出分析报告
相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
相关作者：王少阶吴奕初朱玉婵郁伟中魏龙更多>>
相关机构：中国科学院武汉大学中国科学技术大学广西大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Pb_(0.9)Sr_(0.1)(Zr_(0.5)Ti_(0.5))_((1-x))Ce_(x)O_(3)陶瓷制备及介电、铁电性能研究
《功能材料》2025年第1期1001-1006,共6页张涛 王开平 吴利娜 杨龙海 杨静 李敏 李明昌 
国家自然科学基金项目(52174151,11974275,12004300);陕西省联合基金重点项目(2021JML-05);陕西省榆林市科技局基金项目(2019-138)。
采用固相烧结法成功制备了Pb_(0.9)Sr_(0.1)(Zr_(0.5)Ti_(0.5))_((1-x))Ce_(x)O_(3)(x=0.05~0.20)(PSCZT)陶瓷,研究了不同烧结温度与不同Ce掺杂含量对PSCZT陶瓷结构、介电、铁电性能的影响。结果表明,当烧结温度为1100℃,Ce掺杂含量为0...
关键词：固相烧结 介电性能 铁电性能 正电子湮没技术 
B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响
《物理学报》2024年第7期307-315,共9页杨静 冯少蓉 张涛 牛旭平 王荣 李敏 于润升 曹兴忠 王宝义 
国家自然科学基金(批准号:12075189,11605133,12004300,11974275);中国博士后科学基金(批准号:2018M643813XB);陕西省联合基金重点项目(批准号:2021JML-05)资助的课题。
-用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电...
关键词：PZT压电陶瓷 正电子湮没技术 空位缺陷 
基于正电子湮没技术的材料空位型缺陷行为研究
《物理实验》2022年第3期17-21,共5页袁悦 王汉卿 王诗维 程龙 张鹏 曹兴忠 金硕 吕广宏 
高等学校力学课程教改项目;北京航空航天大学2019-2022年教育教学改革培育项目。
正电子湮没技术能够快速、精确、无损地对材料内部微观缺陷进行探测.将慢正电子束多普勒展宽能谱仪引入实验教学,选取核聚变堆壁材料金属钨为测试对象,调节正电子束能量,采集正电子在钨中湮没产生的γ光子信号.通过对γ光子多普勒展宽...
关键词：正电子湮没技术 γ光子 多普勒展宽谱 空位型缺陷 深度分布 
正电子湮没技术在稀磁半导体中的应用被引量：1
《安顺学院学报》2014年第4期132-134,共3页李东翔 李瑞琴 甘松 赵颖 
稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷属性和自旋属性,这使其成为了一个研究的热点。但是,针对它们的室温铁磁性的起源仍然存在较大的争议。文章通过介绍正电子湮没技术及其在表征材料缺陷中的独特应用,讨论了正电子湮没技术在研究氧...
关键词：正电子湮没技术 稀磁半导体 微观缺陷 室温铁磁性 
正电子湮没技术作为材料无损检测的应用研究被引量：2
《核技术》2014年第6期24-28,共5页曾辉 陈志强 姜静 薛旭东 梁建平 刘向兵 王荣山 吴奕初 
国家自然科学基金(No.11175136、No.51071111、No.J1210061);武汉大学自主科研项目;苏州热工研究院有限公司技术开发项目资助
利用正电子湮没技术对材料内部原子尺度缺陷和损伤十分敏感的特点,设计了一种新的正电子无损检测(Non-destructive testing,NDT)装置,并使用单一样品分析了形变及辐照损伤材料的缺陷状态,证实该测量系统的可行性和可靠性。正电子NDT有...
关键词：正电子湮没 无损检测(yon—destructive TESTING NDT) 缺陷 
RTM和预浸料共固化树脂体系界面层特性被引量：4
《复合材料学报》2013年第3期35-38,共4页郑亚萍 陈伟 李江红 许亚洪 
973项目(2010CB631104);西北工业大学研究生创业种子基金(z2012146)
RTM和预浸料两种工艺共固化会形成一个界面层,采用差热分析和红外光谱研究环氧树脂/酸酐和环氧树脂/双氰胺共固化体系的反应,采用正电子湮没技术测试了共固化体系所形成界面中的自由体积尺寸和浓度。结果表明,单独体系的反应峰大约是160...
关键词：共固化 RTM工艺 预浸料 界面 正电子湮没技术 自由体积 
3 - 21 Positron Annihilation Study of Vacancy-type Defects in a F/M Steel under Helium Ion Implantation
《IMP & HIRFL Annual Report》2012年第1期109-110,共2页Wang Ji Wang Zhiguang Yao Cunfeng Wei Kongfang Cui Minghuan Sheng Yanbin Shen Tielong Li Bingsheng Zhu Yabin Pang Lilong Li Yuanfei Zhu Huiping Chang Hailong Sun Jianrong Zhang Hongpeng Wang Dong Song Peng 
关键词：正电子湮没技术 空位型缺陷 氦离子注入 原子尺度 钢 PAT 
微观缺陷和3d电子对La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3陶瓷磁电阻性能的影响被引量：2
《材料导报》2012年第22期111-114,共4页郭秋娥 黄宇阳 邓文 
国家自然科学基金(51061002);广西大学创新团队建设计划项目;贵州毕节学院科学研究基金
用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为。结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高;对x>0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有新...
关键词：钙钛矿锰氧化物 正电子湮没技术 3d电子 磁电阻特性 
用正电子湮没谱研究半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷被引量：1
《中国陶瓷》2012年第1期36-38,共3页杨铁柱 
用正电子湮没技术研究了半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷,发现在配方配方ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2中掺杂半导化添加剂Z、ZN、ZCr和ZT后,商谱谱峰依次降低;正电子寿命依次增加。其中掺杂ZT的样品三电性能参数比较理想,分别为E1mA=17V/mm,α=18...
关键词：正电子湮没技术 半导化掺杂 商谱 正电子寿命 电性能参数 
正电子湮没技术在纳米材料中的应用被引量：5
《中国无机分析化学》2011年第2期13-19,共7页曾小川 宋武林 周玉华 谢长生 
国家自然科学基金(项目编号:51071073)资助项目
纳米材料在现实应用中表现出越来越优异的性能,其微结构往往对宏观性能有着重要影响。从正电子湮没技术基本原理出发,结合正电子湮没技术在材料微观结构领域的独特优势,介绍了其在纳米金属、合金以及纳米半导体等材料中的微结构研究工作...
关键词：正电子湮没 纳米材料 微结构 缺陷 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部