低介陶瓷

作品数：5被引量：6H指数：2
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ZnO-B_2O_3-SiO_2系统低介陶瓷的烧结工艺研究被引量：1
《硅酸盐通报》2006年第3期25-28,共4页庞京涛 郑金标 吴纬 
通过热分析确定基本的的烧结温度制度，并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结，通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析，探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响。结果表明：该陶瓷...
关键词：低介电陶瓷 烧结工艺 ZnO-B2O3-SiO2系统 
固相法低温合成ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系低介陶瓷材料
《稀有金属材料与工程》2005年第z2期1105-1107,共3页王少洪 周和平 
国家自然科学基金资助项目(59995523)
采用传统的固相法,制备出1种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系陶瓷材料可在1100℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频...
关键词：固相法 低温烧结 低介电常数和损耗 片式电感 
固相法制备低温烧结B_2O_3-P_2O_5-SiO_2系低介陶瓷材料被引量：2
《无机材料学报》2001年第5期974-978,共5页李勃 岳振星 周济 桂治轮 李龙土 
国家"863"高技术资助项目(715-Z33-006-0050)
采用传统的电子陶瓷生产工艺，制备出一种Ｂ２Ｏ３－Ｐ２Ｏ５－ＳｉＯ２系瓷料．该体系材料加入少量助烧剂可在９００℃，空气气氛中烧结，获得低介电常数陶瓷．得到烧结体的介电常数ε≤５、介电损耗ｔａｎδ≤３×１０－３（１ＭＨｚ...
关键词：介电常数 片式电感 低温烧结 固相法 陶瓷材料 氧化硼 五氧化二磷 二氧化硅 
集成电路封装用低温低介陶瓷材料的研制被引量：1
《江苏陶瓷》1998年第2期10-11,共2页储章生 
简要地叙述了国家八五攻关项目“85-705”中“低温低介电常数陶瓷材料”
关键词：集成电路 封装 陶瓷材料 介电陶瓷 
低温共烧多层基板用低介陶瓷材料的制备技术被引量：2
《混合微电子技术》1993年第4期1-9,共9页章瑜 孙义传 
关键词：多层基板 低介陶瓷 材料 
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