甚大规模集成电路

作品数：15被引量：18H指数：3
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ULSI铝布线化学机械抛光研究被引量：2
《微电子学》2012年第4期576-579,583,共5页韩丽丽 刘玉岭 牛新环 王如 王辰伟 
在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低...
关键词：甚大规模集成电路 铝布线 化学机械抛光 抛光液 
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