数据保持

作品数：91被引量：53H指数：4
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金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响
《集成电路应用》2019年第8期43-45,共3页黄庆丰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18...
关键词：集成电路制造 金属硅化物阻挡层SAB 干法刻蚀 湿法刻蚀 OTP 数据保持 
华虹宏力获“国家金卡工程2016年度金蚂蚁奖”被引量：1
《集成电路应用》2016年第8期44-44,共1页
上海华虹宏力半导体制造有限公司的“应用于双界面金融IC卡的高可靠性0.11μm嵌入式电可擦可编程只读存储器（e EEPROM）工艺”项目荣获“国家金卡工程2016年度金蚂蚁奖——最佳产品配套奖”,充分肯定了其在嵌入式非易失性存储器领域的...
关键词：EEPROM 非易失性存储器 国家金卡工程 单字节 产品配套 数据保持 半导体制造 其在 擦写 芯片产品 
0.18μm一次编程(OTP)存储器的数据保持性能研究
《集成电路应用》2016年第5期28-32,共5页林俊毅 刘宇 
数据保持能力一直是评估非挥发性存储器可靠性的重要组成部分。栅氧化层的缺陷和浮栅的表面正离子均会诱发存储在浮栅里面的电子跃迁,引起存储器数据丢失。优化浮栅前洗工艺和阱退火工艺,能有效消除浮栅表面的正离子和栅氧化层的缺陷,...
关键词：一次编程存储器 OTP 数据保持 正离子 阱退火 
温度时间控制器
《集成电路应用》2007年第11期56-56,共1页
Model TTC-H5是一款具有五个温度范围的时间控制器，可用于所有的刻蚀、去胶和湿法显影工艺。每个单独的范围包括工艺温度设置点、PID参数、EEPROM存储器，可以在没有电源的情况下将数据保持10年，以及高、低温警报设置点。
关键词：时间控制器 温度范围 EEPROM存储器 温度设置 PID参数 湿法显影 数据保持 工艺 
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