锁存

作品数：454被引量：452H指数：8
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新型RHBD抗多节点翻转锁存器设计被引量：2
《计算机辅助设计与图形学学报》2021年第6期963-973,共11页郭靖 李强 宿晓慧 孙宇 
国家自然科学基金(61604133).
在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset,MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardening by design,RHBD)的锁存器可以恢复所有MNU,但是需要更多的敏感节点和晶体管.为了在获得高可靠性的同时...
关键词：纳米集成电路 抗辐射加固设计 锁存器 多节点翻转 
单粒子四点翻转自恢复加固锁存器设计被引量：2
《计算机辅助设计与图形学学报》2021年第4期632-639,共8页黄正峰 郭阳 李雪筠 徐奇 宋钛 戚昊琛 欧阳一鸣 倪天明 
国家自然科学基金(61874156,61874157,61904001,61904047);安徽省自然科学基金(1908085QF272)。
为了容忍日益严重的单粒子多点翻转,提出了一种能够容忍单粒子四点翻转的加固锁存器——QNURL(quadruple node upset recovery latch).该锁存器包含40个同构的双输入反相器,形成5×8的阵列结构,构建了多级过滤的容错机制.通过有效地利...
关键词：单粒子翻转 抗辐射加固设计 四点翻转 双输入反相器 软错误自恢复 
32 nm CMOS工艺的单粒子多点翻转加固锁存器设计被引量：1
《计算机辅助设计与图形学学报》2021年第3期346-355,共10页黄正峰 曹迪 崔建国 鲁迎春 欧阳一鸣 戚昊琛 徐奇 梁华国 倪天明 
国家自然科学基金(61874156,61874157,61904001,61904047);安徽省自然科学基金(1908085QF272).
随着集成电路工艺不断改进,电荷共享效应诱发的单粒子多点翻转已经成为影响芯片可靠性的重要因素.为此提出一种有效容忍单粒子多点翻转的加固锁存器:低功耗多点翻转加固锁存器(low power multiple node upset hardened latch,LPMNUHL)....
关键词：抗辐射加固设计 单粒子三点翻转 单粒子四点翻转 软错误 
32 nm CMOS工艺单粒子三点翻转自恢复锁存器设计被引量：1
《计算机辅助设计与图形学学报》2020年第12期2013-2020,共8页黄正峰 郭阳 潘尚杰 鲁迎春 梁华国 戚昊琛 欧阳一鸣 倪天明 徐奇 
国家自然科学基金(61874156,61904047,61904001);安徽省自然科学基金(1908085QF272).
纳米尺度CMOS工艺的电荷共享效应日益显著,粒子入射导致电路内部多个节点同时翻转的概率急剧升高.为了提高时序单元的可靠性,提出了一种三点翻转(triple node upsets,TNUs)自恢复的加固锁存器结构,利用双输入反相器的阻塞能力,将24个双...
关键词：单粒子翻转 抗辐射加固设计 双输入反相器 翻转自恢复 
基于混合三模冗余的容忍双点翻转锁存器被引量：2
《计算机辅助设计与图形学学报》2018年第5期968-974,共7页黄正峰 凤志成 姚慧杰 易茂祥 欧阳一鸣 梁华国 
安徽省自然科学基金(1608085MF149);国家自然科学基金(61574052;61674048;61371025;61474036)
随着集成电路工艺的飞速发展,电路内部节点对于高能粒子入射的敏感性急速增大,锁存器中辐射效应引起的软错误急剧增多.进入90 nm工艺以后,电荷共享导致的双点翻转已经成为影响可靠性的严重问题.为此,基于混合三模冗余机制,提出2种加固...
关键词：软错误 双点翻转 混合三模冗余 加固锁存器 
抗单粒子翻转的低功耗锁存器设计被引量：4
《计算机辅助设计与图形学学报》2017年第8期1549-1556,共8页梁华国 李昕 王志 黄正峰 
国家自然科学基金(61574052;61674048)
随着CMOS工艺缩减至纳米尺寸,锁存器对空间辐射环境中高能粒子引起的软错误越发敏感.为缓解软错误对锁存器电路的影响,提出一种基于45 nm CMOS工艺的单粒子翻转自恢复的低功耗锁存器.该锁存器使用3个C单元构成内部互锁的结构,每个C单元...
关键词：单粒子翻转 软错误 C单元 瞬态故障 自恢复 
65nm工艺下单粒子加固锁存器设计被引量：2
《计算机辅助设计与图形学学报》2016年第8期1393-1400,共8页黄正峰 钱栋良 梁华国 易茂祥 欧阳一鸣 闫爱斌 
国家自然科学基金(61574052;61274036;61371025;61474036);安徽省自然科学基金(1608085MF149)
随着工艺尺寸的缩减,单粒子引发的软错误成为威胁电路可靠性的重要原因.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,提出一种单粒子加固锁存器设计.首先针对单粒子翻转,使用具有状态保持功能的C单元,并且级联成两级;然后针对单粒子瞬态,将延迟单元嵌入在...
关键词：软错误 单粒子翻转 单粒子瞬态 加固锁存器 时间冗余 
RTL综合中基本时序逻辑元件的综合方法研究
《计算机辅助设计与图形学学报》2001年第9期855-859,共5页袁媛 谢巍 刘明业 
国家自然科学基金 (69973 0 0 )资助
锁存器与触发器的综合是 RTL综合中时序逻辑综合子系统的主要研究问题之一 ,不同的 RTL时序电路描述综合出的元件各不相同 .文中从 VHDL 语言的 RTL 描述特征入手 ,研究了 RTL 综合中锁存器与触发器的综合方法 ,阐述了采用锁存器及触发...
关键词：RTL综合 锁存器 触发器 时序逻辑电路 时序逻辑元件 
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