带隙基准电压

作品数：267被引量：493H指数：11
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基于ASL1000的Bandgap Trim 设计及其算法研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2019年第1期54-58,76,共6页付贤松 马富民 田会娟 杜桥 罗涛 
国家自然科学基金资助项目(61504095)
在芯片生产过程中,由于工艺的影响,带隙基准电压V_(BG)会存在偏差。在芯片测试阶段,需要对V_(BG)进行trim修调,使其满足芯片参数要求。简要分析了带隙基准电压误差的来源,提出了一种E-Fuse修调电路,通过程序中的代码控制修调电阻的大小,...
关键词：带隙基准电压 E-Fuse 修调电路 算法 
宽温度范围高精度带隙基准电压源的设计被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第1期54-59,共6页王永顺 崔玉旺 赵永瑞 汪再兴 刘倩 
甘肃省科技支撑计划项目(1304GKCA012);兰州市科技发展计划项目(2013-4-17)
为了满足市场对宽温度范围、高精度带隙基准电压源的需求,本文设计制作了一种新型带隙基准电压电路。设计采用多点曲率补偿技术,在温度较低时采用指数频率补偿,高温时采用亚阈值指数曲率补偿。采用电压-电流转换器对分段补偿电流在输出...
关键词：带隙基准 指数曲率补偿 亚阈值指数曲率补偿 多点曲率补偿 电压-电流转换器 
一种应用于13.56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第3期227-231,共5页王金川 张平 张为 张建 
国家科技重大基金专项资助项目(2012ZX03004008);天津市科技支撑计划资助项目(10ZCKFGX03600)
在传统带隙结构基础上，实现了一种适用于13．56MHz无源RFID标签芯片的带隙基准电压源。电路设计采用SMIC 0．18／μm混合信号CMOS工艺实现，测试结果显示，电源电压输入范围在4．0～11．0V时，基准源输出电压为1．165±0．004V，7V电...
关键词：带隙基准 启动时间 温漂系数 电源电压 
一种无运放低压低功耗CMOS带隙基准电压源的设计
《固体电子学研究与进展》2011年第2期208-212,共5页杨帆 邓婉玲 黄君凯 
广东省科技计划资助项目(2008B010200011);广东省教育部产学研结合资助项目(2009B090300287)
采用无运放电路结构,通过改进反馈环路和调整电阻的方法,设计了一种低电压低功耗的带隙基准电压源。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小和具有更低的电流损耗,并且大部分电流损耗都用于产生输出电压。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺对所研...
关键词：带隙基准电压源 运放 低电压 低功耗 
一种1.5V 8.3×10^(-6)/°C数字控制型CMOS带隙基准电压源
《固体电子学研究与进展》2010年第3期431-435,共5页邹亮 唐长文 
国家高技术研究发展计划资助项目(2007AA01Z282);国家自然科学基金资助项目(60876019)
提出了一种新颖的带有数字控制的带隙基准电压源,此带隙基准电压源通过控制PNP晶体管的导通来实现可调的输出参考电压和可调的温度系数。此电路通过数字信号控制获得了一组不同的温度曲线,从这组温度曲线中,可以得到精确的输出参考电压...
关键词：带隙基准 数字控制 可校正电压参考 温度系数 
新型自启动带隙基准电压源设计被引量：3
《固体电子学研究与进展》2009年第4期566-568,588,共4页徐勇 赵斐 徐永斌 关宇 关振红 
提出了一种具有新颖自启动电路的带隙基准电压源设计,相比传统自启动方案,电路规模没有增长的同时电路功耗更低,芯片消耗电流约14μA,性能更加可靠。200片芯片批量统计测试结果表明,电压源输出1.25V±10mV,标准偏差σ仅为0.004V,-55～12...
关键词：低功耗 带隙基准电压源 启动电路 
基于新型启动电路的高电源抑制带隙基准源被引量：3
《固体电子学研究与进展》2008年第2期289-292,303,共5页翁强 张云珠 吴建辉 张萌 
设计了一种基于新型启动电路的高电源抑制(PSR)的带隙基准电压源。启动电路可以在300ns的时间内使电路进入工作状态,同时可在10ns的时间内完全关断电路。可控的启动电路增加了电路使用的灵活性。本基准电路基于新加坡Chartered0.25μmN...
关键词：带隙基准电压源 电源抑制 一阶温度补偿 温度系数 
衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第4期531-535,共5页张海军 杨银堂 朱樟明 张宝君 
国家自然科学基金(No.60476046.90207022);国家预研基金(No.51408010601DZ01)资助
采用二阶温度补偿和电流反馈技术，设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈，使其输出用于产生自身的电流源偏置，其电源抑制比（PSRR）为-63.8dB...
关键词：衬底驱动 超低压 互补金属氧化物半导体 带隙基准源 温度系数 电源抑制比 
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