体硅工艺

作品数：53被引量：142H指数：6
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相关作者：郝一龙张大成吴亚明钟莹张国雄更多>>
相关机构：北京大学清华大学中国科学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《仪器仪表学报》《遥测遥控》《西安交通大学学报》《中国惯性技术学报》更多>>
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65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究被引量：3
《电子科技》2018年第1期12-15,共4页梁永生 吴郁 郑宏超 李哲 
国家自然科学基金(61176071)
针对NMOS场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65 nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65 nm体硅NMOS晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护...
关键词：单粒子效应 单粒子瞬态 电荷共享 抗辐射 
一种新型三轴电容式加速度计的设计分析被引量：5
《电子科技》2010年第3期86-89,共4页王守明 汪祖民 
中国兵器工业第214研究所青年教师创新基金资助项目
设计了一种新型结构的体硅工艺梳齿电容式加速度计,该设计采用2个检测质量块,分别检测水平方向和垂直方向的加速度。x,y水平方向不对称梳齿的设计,消除了z轴对水平轴向加速度的干扰,同时z轴支撑梁的设计,解决了水平轴向对z轴的干扰。电...
关键词：不对称梳齿 电容式加速度计 体硅工艺 
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