电导调制

作品数：17被引量：23H指数：3
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局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1078-1083,共6页方健 吴超 乔明 张波 李肇基 
国家军事电子预研(批准号:41308020405);武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~
提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的...
关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT 关断时间 电导调制 
局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期857-863,共7页方健 蒋华平 乔明 张波 李肇基 
国家军事电子预研基金(批准号:41308020405)武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~
提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓度的分析,澄清了长期以来对于最优局域低寿...
关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT正向压降 电导调制 
电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第8期786-791,共6页何进 张兴 黄如 杜彩霞 韩磊 王新 
通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分...
关键词：功率器件 穿通结构 电导调制 优化设计 
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