电流崩塌

作品数：70被引量：88H指数：4
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相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院南京电子器件研究所更多>>
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界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响被引量：1
《发光学报》2019年第7期915-921,共7页韩军 赵佳豪 赵杰 邢艳辉 曹旭 付凯 宋亮 邓旭光 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011,11204009,61574011);北京市自然科学基金(4142005,4182014);北京市教委科学研究基金(PXM 2018_014204_500020)资助项目~~
研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N2等离子体预处理的时间优化...
关键词：电流崩塌 AlN栅介质插入层 界面处理 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 
基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比
《微纳电子技术》2017年第11期734-739,共6页李淑萍 孙世闯 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11404372);江苏省重点研发计划资助项目(BE2016084)
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiN_x作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体...
关键词：氢化物气相外延(HVPE)GaN衬底 金属有机化学气相沉积(MOcVD) AlGaN/ GaN金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MIsHEMT) 同质外延 电流崩塌 
AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第1期35-41,共7页王翠梅 王晓亮 王军喜 
中科院创新工程重要方向性项目经费;国家自然科学基金重点项目 (No.60 13 60 2 0 )经费;"973"项目 (No.G2 0 0 0 0 683和2 0 0 2 CB3 1190 3 )经费;"863"项目 (2 0 0 2 AA3 0 5 3 0 )经费的资助
简要回顾了 Al Ga N/Ga N HEMT器件电流崩塌效应研究的进展 ,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施。
关键词：铝镓氮/氮化镓 高温电子迁移率晶体管 电流崩塌效应 功率器件 
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