电流崩塌效应

作品数：16被引量：18H指数：2
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相关作者：张宝顺蔡勇于国浩李诚瞻刘新宇更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学西安电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>
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AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1055-1058,共4页李诚瞻 刘键 刘新宇 薛丽君 陈晓娟 和致经 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~
比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/Ga...
关键词：AlN插入层 HEMTS 电流崩塌效应 热电子 
直流大电压下 GaN HEMT电流崩塌效应探索被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期227-230,共4页龙飞 杜江锋 罗谦 周伟 夏建新 杨谟华 
基于GaN HEMT器件物理和实验分析测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应的新物理模型.研究表明,在大漏极电压条件下,沟道电子易于注入到GaN缓冲层中,并被缓冲层中的陷阱所俘获,耗尽二维电子气,从而导致电流崩塌效应.该模型描述了电流崩塌...
关键词：电流崩塌效应 GA NHEMT 陷阱 物理模型 
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