电流值

作品数：294被引量：185H指数：7
导出分析报告
相关领域：电气工程更多>>
相关作者：陈跃涂小平刘启武朱绯王声纲更多>>
相关机构：国家电网公司丰田自动车株式会社三菱电机株式会社珠海格力电器股份有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划云南省应用基础研究计划面上项目云南省农业科技创新工程项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体信息x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
TDK发布新款爱普科斯(EPCOS)引线式RF扼流圈
《半导体信息》2014年第5期29-30,共2页赵佶 
TDK公司近日发布了新款爱普科斯(EPCOS)引线式RF扼流圈。该系列扼流圈被命名为LBC+,其特点为电流承受能力大,组件的饱和电流可高达7700mA,额定电流可高达4450mA。与之前型号相比,其电流值提升了近80%。E12系列的电感值范围扩大为1.0&mic...
关键词：线式 EPCOS RF TDK 饱和电流 电感值 电感器 工作温度范围 电流值 额定电流 
罗姆开发出新款40V的功率MOSFET
《半导体信息》2012年第5期8-10,共3页江兴 
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET,最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。新系列产品根据用途采用6种封装,共13种产品。从9A到100A(可用于需要大电流的大功率设备)...
关键词：罗姆 半导体制造商 大功率设备 低导通电阻 场板 电流值 日本京都 输人电压 电源电路 系列产品 
罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象
《半导体信息》2012年第4期11-11,共1页赵佶 
罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可...
关键词：导通电阻 第一代产品 单位面积 SIC 罗姆 封装形式 正向电压 封装面积 电流值 
国半推出低输入偏置电流高精度放大器
《半导体信息》2008年第5期7-7,共1页江兴 
关键词：偏置电流 增益带宽 开环增益 系统灵敏度 印制电路板 输出引脚 电压温度系数 电流值 分立式 高阻抗 
东芝试制成功栅长10nm晶体管
《半导体信息》2004年第4期28-29,共2页章从福 
面向存在低耗电要求的数字家电SoC(系统芯片),东芝日前试产了栅长10nm的晶体管。在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技术国际会议"2004 Symposium on VLSI Technology"上进行了技术发表。"目前已经证实晶体管能够正常开关,泄...
关键词：nm 栅长 半导体制造 泄漏电流 沟道效应 数字家电 绝缘膜 设计工艺 电流值 控制栅极 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部