硼扩散

作品数：43被引量：49H指数：4
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预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用
《半导体技术》2016年第10期764-768,共5页许晓燕 陈文杰 刘兴龙 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02013-006)
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),二次离子质谱(SIMS),扩展电阻法(SRP)等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的...
关键词：预非晶化 激光退火 共注入 硼扩散 超浅结 
Si_(1-x-y)Ge_xC_y的淀积工艺和材料特性
《半导体技术》2012年第7期517-521,571,共6页肖胜安 季伟 
国家科技重大专项资助项目(20118X02506)
研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不...
关键词：SI1-X-YGEXCY 异质结双极晶体管 有源区CD减少 STI凹陷 硼扩散 
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