平均键能

作品数：20被引量：11H指数：2
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网络形成体平均键能对化学强化典型盖板玻璃力学性能的影响
《玻璃》2024年第1期2-8,18,共8页董俊威 张俊 陈佳佳 王辅 
探讨了在典型盖板硅酸盐玻璃组分中改变网络形成体的平均键能强度对化学强化后该玻璃的应力特性、抗弯性能和抗冲击性能的影响规律,并分析其影响机理。结果表明,随着Al_(2)O_(3)和/或ZrO_(2)取代SiO_(2)的量的适量增加,玻璃网络形成体...
关键词：盖板玻璃 化学强化 键能强度 应力 力学性能 
钴掺杂锗团簇CoGe_(n)^(-/0)(n=2~11)的结构与稳定性研究
《当代化工研究》2022年第18期40-43,共4页杨欣竹 董彩霞 杨桔材 
国家自然科学基金委2019年国家地区自然科学基金“过渡金属掺杂半导体(硅、锗)团簇的结构和性质研究”(项目编号:21863007);内蒙古工业大学科学研究项目“过渡金属掺杂硅锗团簇结构与性质研究”(项目编号:BS2020023);内蒙古自治区应用技术研究与开发资金计划“基于生态承载力的白云鄂博矿区区域生态环境可持续发展研究”(项目编号:JH20180633)。
团簇是原子、分子或离子向体相物质转变的凝聚态,研究团簇的结构和性质即可以解释已知体相的结构和性质,又可以寻找潜在应用的多功能材料。本文采用全局搜索技术结合CCSD(T)方法研究了CoGe_(n)^(-/0)(n=2~11)团簇的基态结构和热力学稳...
关键词：基态结构 平均键能 二阶能量差分 稳定性 
GeTeSb Physical Properties Investigation
《材料科学与工程（中英文B版）》2012年第10期534-538,共5页Abelhamid Badaoui Maamar Belhadji Mohamed Belbachir Noureddine Hakiki 
关键词：物理特性 玻璃化转变温度 孤对电子 平均键能 物理性质 硫属化物 配位数 组合物 
Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级
《厦门大学学报（自然科学版）》2003年第5期586-590,共5页李书平 王仁智 
厦门大学校级自选课题(Y07010)资助
基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半...
关键词：Schottky势垒 电中性能级 平均键能 费米能级 半导体 接触势垒高度 第一原理赝势能带计算 
金属-半导体接触势垒高度的理论计算被引量：3
《固体电子学研究与进展》2003年第4期412-415,453,共5页李书平 王仁智 蔡淑惠 
厦门大学校级自选课题 (Y0 70 10 )资助
采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用的电中性能级方法 ,计算结果表明平均键能方法和 Tersoff提出的电中性能级方法一样 ,可作为金属
关键词：金属-半导体 势垒高度 平均键能 电中性能级 费米能级 接触势垒 
自由电子能带中的平均键能与费米能级
《固体电子学研究与进展》2002年第1期1-4,共4页李书平 王仁智 郑永梅 蔡淑惠 何国敏 
高校博士点基金 (95 3 840 9);福建省自然科学基金 (E990 0 0 5 )资助项目
根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果...
关键词：费米能级 平均键能 异质结 自由电子能带 
平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型
《发光学报》2001年第2期182-186,共5页廖任远 蔡淑惠 郑永梅 王仁智 李书平 
福建省自然科学基金资助项目 (E990 0 0 5 )
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系 ,发现平均带阶参数Emv .av=Em-Ev .av在不同应变状态下基本上保持不变。因此 ,在应变层带阶参数Emv的计算...
关键词：带阶 平均键能 异质结 应变层 半导体 能级 
平均键能E_m的物理内涵探讨被引量：2
《物理学报》2001年第2期273-277,共5页王仁智 郑永梅 李书平 
福建省自然科学基金! (批准号 :E9910 0 0 5 )资助的课题
在面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp) 3种不同结构晶体的自由电子能带模型中 ,发现 4个最低能带与 5个次低能带本征值的平均能量 (称为平均键能 ,Em)与费米能级 (EF)相当接近 ;并进一步在hcp结构的钛(Ti)、锆 (Zr)和铪 ...
关键词：平均键能 费米能级 能带结构 半导体 异质结 
自由电子能带模型中的平均键能与费米能级被引量：1
《半导体光电》1999年第2期101-103,107,共4页郑永梅 王仁智 蔡淑惠 何国敏 李书平 
高效博士点基金;福建省自然科学基金
根据半导体自由电子能带模型，采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法，其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Ｅｍ”
关键词：费米能级 平均键能 异质结 
Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶
《厦门大学学报（自然科学版）》1998年第3期351-356,共6页李书平 王仁智 郑永梅 蔡淑惠 
国家和福建省自然科学基金;国家教委博士点基金
采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数...
关键词：异质结 带偏移 形变势 半导体 锗 硅 平均键能法 
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