电损耗

作品数:602被引量:1592H指数:16
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相关机构:天津大学广东生益科技股份有限公司中国科学院电子科技大学更多>>
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纳米TiO_2改性绝缘纸的绝缘性能被引量:24
《高电压技术》2014年第7期1932-1939,共8页廖瑞金 吕程 吴伟强 刘团 柳海滨 
国家自然科学基金(51277187);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2009CB7245051)~~
为了研究纳米TiO2改性绝缘纸的绝缘性能,试验室制备了含不同质量分数纳米TiO2的绝缘纸手抄片,并对真空浸油后的绝缘纸性能进行了测试。结果表明在一定的纳米TiO2质量百分比内,改性后的绝缘纸的工频击穿场强得到较大的提高,如在质量分数...
关键词:绝缘纸 纳米TIO2 工频击穿场强 介电常数 介电损耗 电导率 界面 
微波辐射技术在药物制剂领域的应用被引量:8
《药学学报》2014年第3期303-309,共7页张雪冰 时念秋 杨志强 王杏林 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2012CB724002)
微波是一种可以穿透物质并在物质内部直接转化为热能的能源。微波对物质加热的程度依赖物质的介电性质,高介电损耗的物质更容易与微波电磁场达到共振,从而更高效地吸收微波。由于独特的加热机制,微波辐射技术可以诱导药物与聚合物的相...
关键词:微波辐射 介电损耗 加热机制 制剂新技术 制剂过程 溶出 
稀土离子掺杂纳米TiO_2的太赫兹光谱研究被引量:3
《光谱学与光谱分析》2011年第10期2624-2628,共5页冯修军 黄婉霞 施奇武 张玉波 罗轶 张雅鑫 
国家自然科学基金项目(61072036);国家"973"重大基础研究项目(2007CB310401)资助
对sol—gel法制备的不同稀土元素(Ce,Nd,Sm)掺杂的纳米Ti魄粒子进行研究。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,稀土离子均以间隙的形式均匀分布在纳米Ti@晶格内。傅里叶变换红外光谱(FTIR)和太赫兹时域光谱(...
关键词:太赫兹时域光谱技术 稀土掺杂纳米TiO2 吸收系数 介电损耗 
Dielectric properties of low dielectric constant Ba_(0.60) Sr_(0.40)Mg_(0.15)Ti_(0.85)O_3-Mg_2TiO_4 composite thin films for tunable applications被引量:1
《Chinese Science Bulletin》2009年第13期2235-2238,共4页GAO LiNa ZHAI JiWei YAO Xi 
Supported by the National Program on Key Basic Research Project from the Ministry of Science and Technology of China (Grant No.2009CB623302);Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education (SRFDP20060247003);Shanghai Committee of Science and Technology (Grant No.07DZ22302)
Ba0.60Sr0.40Mg0.15Ti0.85O3-xmol%Mg2TiO4(x=0―40 mol%)(BSTM-MT) composite thin films were fabricated by sol-gel method.The precursor solution of these composite thin films was prepared through mixing the Ba0.60Sr0.40Mg...
关键词:低介电常数 复合薄膜 可调谐 介电性能 应用 溶胶凝胶法 低介电损耗 薄膜制备 
BaO-TiO_2-B_2O_3-SiO_2体系LTCC介电性能的研究被引量:2
《功能材料》2007年第6期934-937,共4页崔学民 邱树恒 童张法 周济 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2003AA32G030);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2002CB613306)
利用预煅烧法制备了BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系低温共烧陶瓷(简称LTCC)材料,其烧结温度在900℃以下,介电常数在4~20之间随组成变化而调节,介电损耗能保持在0.002左右的水平;研究发现,玻璃陶瓷材料的原始组成、烧结体致密度和电场...
关键词:LTCC 介电常数 介电损耗 电阻率 
SiO_2/SiO_2复合材料高温介电性能演变规律及温度特性研究被引量:9
《材料工程》2007年第3期28-30,41,共4页房晓勇 曹茂盛 侯志灵 张永 李仲平 
973计划(5131803)资助项目
根据经高温烧蚀后SiO2/SiO2复合材料物态表征结果,分析了室温至1200℃温度范围内影响SiO2/SiO2复合材料介电性能的主要因素。运用有效媒质理论,建立计算SiO2/SiO2复合材料介电参数的经验模型,实现SiO2/SiO2复合材料高温介电性能...
关键词:透波材料 有效媒质理论 介电系数 介电损耗 
铅掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响被引量:1
《西华大学学报(自然科学版)》2006年第6期1-3,共3页丁士华 杨晓静 
国家973计划项目(编号:2002CB613302);校人才引进项目(编号:R0620109)
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了未掺杂和掺铅的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明:随着铅的加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸增大;在同一频率下,介电常数呈增大趋势。...
关键词:掺杂 介电常数 介电损耗 
高价B位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的铁电性能研究被引量:1
《周口师范学院学报》2004年第5期43-45,共3页吴晓波 陈爱平 顾骏 唐磊 李伟 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90207027);国家973项目(批准号:2002CB613303)
用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减...
关键词:介电损耗 BI4TI3O12 铁电性 陶瓷材料 
复合体材料CuFe_2O_4-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3的内耗和介电损耗
《金属学报》2003年第11期1197-1200,共4页李伟 宋春花 包鹏 马骏 朱劲松 王业宁 
国家自然科学基金基目90207027;国家重点基础研究发展规划项目2002CB613300资助
用传统的固相反应方法制备了CuFe2O4-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3复合体材料陶瓷.用X射线衍射确定了复合体材料中各相的存在.用双端振动簧法研究了样品在-200-400℃的音频内耗谱,在37.6℃发现一个很大的内耗峰P1,并伴随着约9%的模量的软化,表明...
关键词:磁电效应 内耗 介电常数 
磁电复合材料CuFe_2O_4/PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3的内耗与介电损耗被引量:2
《金属学报》2003年第11期1209-1211,共3页戴玉蓉 包鹏 朱劲松 沈惠敏 刘俊明 王业宁 
国家重点基础研究发展规划资助项目2002CB613300
制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中z=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.47O3相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1-6.4Hz)的内耗,同时利用HP 4194A阻抗分析仪测量了样...
关键词:内耗 磁电效应 介电损耗 
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