汽相外延

作品数：43被引量：19H指数：3
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In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1989年第4期301-308,共8页徐宝琨 李钟华 宋利珠 赵慕愚 
本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.
关键词：热力学计算 气相外延 铟镓砷 
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
《Journal of Semiconductors》1981年第3期243-246,共4页于鲲 孟庆惠 李永康 吴灵犀 陈廷杰 徐寿定 
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一...
关键词：光致发光谱 低温光致发光 汽相外延 GAAS 双光栅单色仪 激发光 
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