全耗尽

作品数：92被引量：86H指数：5
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超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究被引量：3
《集成电路应用》2019年第9期20-22,共3页李宁 赵凯 沈鸣杰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1300303)
研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验。试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象...
关键词：集成电路 SOI 全耗尽 总剂量辐照 NMOSFET 
全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析
《集成电路应用》2017年第11期38-41,共4页孔文 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160220)
在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的Fin FET一直大行其道。而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面,总的来说,Fin FET的目标市...
关键词：集成电路制造 全耗尽绝缘硅 RF-SOI 
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