缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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日立公司成功开发3英寸GaN衬底
《半导体信息》2007年第4期20-21,共2页孙再吉 
关键词：GaN 日立公司 缺陷密度 晶体质量 机械应力 金属层 晶格常数 钛金属 剥离法 技术创新 
La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3外延膜厚度引起的电阻率变化被引量：3
《安徽大学学报（自然科学版）》2006年第3期58-61,共4页孟影 金绍维 
安徽省教育厅自然科学资金资助项目(2004kj031)
不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫...
关键词：外延膜 晶格失配 应变驰豫 缺陷密度 
Ⅲ-Ⅴ族三元体衬底生长工艺
《现代材料动态》2005年第10期3-5,共3页邓志杰（摘译） 
对三元合金衬底的研究已有40年的历史，但至今没有商品化材料，而利用具有“可变”晶格常数和带隙的三元衬底有利于提高器件性能、简化制造工序、降低制造成本。开发出直径≥50mm Ⅲ-Ⅴ族三元衬底生长工艺并达到：1，晶片上组分均匀性好...
关键词：生长工艺 Ⅲ-Ⅴ族 金衬底 三元 器件性能 晶格常数 制造工序 制造成本 缺陷密度 
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