缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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生长气压对分子束外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响被引量：1
《人工晶体学报》2022年第7期1152-1157,共6页蔡文为 刘祥炜 王浩 汪建元 郑力诚 王永嘉 周颖慧 杨旭 李金钗 黄凯 康俊勇 
国家重点研发计划(2021YFB3600101);国家自然科学基金(61874090,62174141);福建省自然科学基金(2021J01008);厦门市重大科技项目(3502Z20191016)。
本文采用分子束外延技术在具有6°斜切角的c面蓝宝石衬底上外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜,系统研究了生长气压对薄膜特性的影响。X射线衍射谱和表面形貌分析表明,不同生长气压下所外延的薄膜表面平整,均具有(201)择优取向。并且,其结晶质量和...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)薄膜 分子束外延 生长气压 缺陷密度 晶体质量 光学特性 
图形化衬底上GaN基高温缓冲层的研究
《科学技术创新》2020年第32期36-37,共2页吴洪浩 周瑜 霍丽艳 
针对图形化衬底上GaN基高温缓冲层的生长条件的研究,用以改善因蓝宝石衬底与GaN材料之间存在大的晶格失配和热膨胀系数失配而产生的大量的位错密度,抑制缺陷向外延表面的延伸,提高了GaN材料的晶体质量和器件的内量子效率。
关键词：GaN LED 低缺陷密度 晶体质量 
SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响被引量：3
《人工晶体学报》2012年第2期294-297,共4页杨莺 刘素娟 陈治明 林生晃 李科 杨明超 
为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于...
关键词：SiC籽晶 表面状态 腐蚀 抛光 缺陷密度 
日立公司成功开发3英寸GaN衬底
《半导体信息》2007年第4期20-21,共2页孙再吉 
关键词：GaN 日立公司 缺陷密度 晶体质量 机械应力 金属层 晶格常数 钛金属 剥离法 技术创新 
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