缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度
《半导体信息》2013年第1期25-26,共2页吴琪乐 
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望这项关键技术可以运用到那些需要高性能材料的...
关键词：缺陷密度 外延层 GAN 器件结构 蓝宝石衬底 高性能材料 掩膜 电致发光 光电探测器 国际合作项目 
采用SiN薄层的非极性GaN基器件
《半导体信息》2007年第1期25-26,共2页陈裕权 
关键词：GaN SIN 缺陷密度 外延层 MOCVD 光致发光 淀积 发光强度 加里福尼亚 位错密度 
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