缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展
《中国科技信息》2008年第1期285-285,共1页张帷 刘彩池 郝秋艳 
基金项目：教育部新世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金（E2005000042）
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始...
关键词：GAN薄膜 生长技术 制备 化合物半导体 Ⅲ族氮化物 化学性质 缺陷密度 宽禁带 
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