热载流子

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搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究
《液晶与显示》2017年第2期91-96,共6页张猛 夏之荷 周玮 陈荣盛 王文 郭海成 
香港研究资助局主题研究计划项目(NO.T23-713/11-1)~~
本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制。在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化。器件退化只与栅脉冲下降沿有关。越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化。比起普通多晶...
关键词：搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 栅交流应力 动态热载流子 
衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1115-1119,共5页石凯 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究专项基金资助项目(批准号:TG2000036503)~~
研究了ETOXTM结构FLASHmemory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以...
关键词：FLASH MEMORY 热载流子 耐久性 碰撞电离 
带超薄氮化硅栅介质的p—MOSEFT的热载流子可靠性
《电子产品可靠性与环境试验》2003年第2期69-69,共1页
关键词：p-MOSEFT 热载流子 可靠性 晶体管 超薄氮化硅栅介质 栅漏电流 
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