自加热

作品数：154被引量：258H指数：9
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SOI的自加热效应与SOI新结构的研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2002年第2期205-210,共6页林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 
国家自然科学基金(No.90101012);国家重点基础研究项目(No.G20000365)
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作...
关键词：自加热效应 沟道电流 跨导畸变 负微分迁移率 SOI 
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