自热效应

作品数：92被引量：238H指数：7
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考虑自热效应的互连线功耗优化模型被引量：1
《物理学报》2013年第1期349-355,共7页张岩 董刚 杨银堂 王宁 王凤娟 刘晓贤 
国家自然科学基金(批准号:60606006);陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19);国防预研基金(批准号:9140A23060111)资助的课题~~
基于互连线的分布式功耗模型,考虑自热效应的同时采用非均匀互连线结构,提出了一种基于延时、带宽、面积、最小线宽和最小线间距约束的互连动态功耗优化模型.分别在90和65nm互补金属氧化物半导体工艺节点下验证了功耗优化模型的有效性,...
关键词：分布式互连 功耗优化模型 自热效应 非均匀互连线 
双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件新结构被引量：7
《物理学报》2008年第10期6565-6570,共6页李琦 张波 李肇基 
提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布,耗尽层通过源极下硅窗口进一步向硅衬底扩展,使埋氧层中纵向电场高达常规SO...
关键词：双面阶梯 埋氧层 调制 自热效应 
4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析被引量：4
《物理学报》2002年第1期148-152,共5页杨林安 张义门 龚仁喜 张玉明 
国防预研基金 (批准号 :8 1 7 3)资助的课题~~
采用载流子速度饱和理论 ,建立了包含“自热效应”影响的适用于 4H SiCMESFET的大信号输出I V特性解析模型 ,在模型中引入了温度变化的因素 ,提出了非恒定衬底环境温度T0 的热传导模型 ,模拟结果与实验值一致 。
关键词：4H-SIC 射频 MESFET 直流I-V特性 自热效应 金属半导体场效应晶体管 碳化硅 半导体材料 
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